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関連情報
【掲載製品（抜粋）】
■VSS-450-300
■RSS-210-S
■RSO-200
■RSS-3x210-S
※カタログ資料をご希望の方は当社までお気軽にお問い合わせ下さい。
■VSS-450-300
■RSS-210-S
■RSO-200
■RSS-3x210-S
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【仕様】
＜RSO-300＞
■装置サイズ：578×490×570mm（W×D×H）
■装置重量：約70kg
＜RSO-200＞
■装置サイズ：505×505×570mm（W×D×H）
■装置重量：約55kg
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＜RSO-300＞
■装置サイズ：578×490×570mm（W×D×H）
■装置重量：約70kg
＜RSO-200＞
■装置サイズ：505×505×570mm（W×D×H）
■装置重量：約55kg
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【標準ハードウエア仕様（一部）】
■有効対象物サイズ（W×D×H）：620mm×200mm×25mm
■最大到達温度：300℃
■最大昇温速度：120K/min（2K/sec）
■加熱方式：赤外（IR）光ヒーター
■最大降温速度：60K/min（T＝300℃＞200℃）
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■有効対象物サイズ（W×D×H）：620mm×200mm×25mm
■最大到達温度：300℃
■最大昇温速度：120K/min（2K/sec）
■加熱方式：赤外（IR）光ヒーター
■最大降温速度：60K/min（T＝300℃＞200℃）
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【その他特長】
■ギ酸還元リフロー、フォーミングガス（水素＋窒素）リフローにオプションで対応可
■下面からのIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能
■適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa（10Λ3 hPa）の真空環境を実現可能
■タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能
■50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能
■経過時間、チャンバー内温度、チャンバー内真空度など、多彩なトリガーモードを使用可
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■ギ酸還元リフロー、フォーミングガス（水素＋窒素）リフローにオプションで対応可
■下面からのIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能
■適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa（10Λ3 hPa）の真空環境を実現可能
■タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能
■50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能
■経過時間、チャンバー内温度、チャンバー内真空度など、多彩なトリガーモードを使用可
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【その他特長】
■ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミを気にするプロセスや、
その他のクリチカルなプロセスに使用することが可能
■下面からのIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能
■適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa（10Λ3 hPa）の真空環境を実現可能
■タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能
■50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能
■経過時間、チャンバー内温度、チャンバー内真空度など、多彩なトリガーモードを使用可
【第2回 ネプコンジャパン [秋]】出展予定
会期 ：2023年9月13日(水)～9月15日(金)
会場 ：幕張メッセ
小間 ：7-41
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■ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミを気にするプロセスや、
その他のクリチカルなプロセスに使用することが可能
■下面からのIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能
■適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa（10Λ3 hPa）の真空環境を実現可能
■タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能
■50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能
■経過時間、チャンバー内温度、チャンバー内真空度など、多彩なトリガーモードを使用可
【第2回 ネプコンジャパン [秋]】出展予定
会期 ：2023年9月13日(水)～9月15日(金)
会場 ：幕張メッセ
小間 ：7-41
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【その他の特長】
最大到達温度1000℃
装置筐体部の冷却機構を標準装備。安全に配慮しながら最大到達温度1000℃を実現します。そのためSiAu、SiAl、SiMoなどのアニーリングプロセスだけでなく、ペースト材料などの焼結プロセスにも余裕で対応します。
高速昇温/降温に対応
高速赤外（IR）ヒーターを装備し、最大毎分4500℃以上（毎秒75℃以上）の高速昇温を行うことができます。もちろん、プロファイルプログラムの指示値による任意の昇温速度で昇温させることも可能です。また降温プロセスでは、冷却用窒素ガスをチャンバー内に供給することで、処理後のデバイス表面にダメージを与えることなく、安全に冷却を行うことができます。
多彩なガスパージ環境に対応
最大4系統のMFC（マスフローコントローラ）を装備できますので、真空環境や大気環境のほか、任意のプロセスガスパージ環境でアニーリングを行うことができます。プロファイルプログラムに、各種ガス系統のON/OFF制御だけでなく、その流量も登録できますので、様々な環境を簡単に再現することができます。
最大到達温度1000℃
装置筐体部の冷却機構を標準装備。安全に配慮しながら最大到達温度1000℃を実現します。そのためSiAu、SiAl、SiMoなどのアニーリングプロセスだけでなく、ペースト材料などの焼結プロセスにも余裕で対応します。
高速昇温/降温に対応
高速赤外（IR）ヒーターを装備し、最大毎分4500℃以上（毎秒75℃以上）の高速昇温を行うことができます。もちろん、プロファイルプログラムの指示値による任意の昇温速度で昇温させることも可能です。また降温プロセスでは、冷却用窒素ガスをチャンバー内に供給することで、処理後のデバイス表面にダメージを与えることなく、安全に冷却を行うことができます。
多彩なガスパージ環境に対応
最大4系統のMFC（マスフローコントローラ）を装備できますので、真空環境や大気環境のほか、任意のプロセスガスパージ環境でアニーリングを行うことができます。プロファイルプログラムに、各種ガス系統のON/OFF制御だけでなく、その流量も登録できますので、様々な環境を簡単に再現することができます。
お問い合わせ
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ユニテンプジャパン株式会社
