低圧条件のガス流れの解析ができる 希薄気体(希薄流体)にも対応した解析ソフト
【特長】
■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能
■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる
■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり,品質の悪い計算格子が有っても,必ず収束解を得られる
■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能
◆さまざまな事例に対応◆
・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション
・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション
・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE )
などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション
◆さまざまな計算結果を出力◆
・化学反応の計算
・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算
・解離・再結合・分子(原子)交換反応計算
・GUI 上で,複数の反応式を設定も可能
※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
●粒子法を用いた希薄流体シミュレーションソフトウェアで,真空チャンバーを
用いる実験や装置開発に有用
●CVD のような化学反応を含む成膜のシミュレーションが可能
●非構造メッシュを採用しているので,実際の装置の形状そのままを
計算することが可能
●高い並列効率から,大規模形状でも短時間で計算結果が得られます
●粒子法を採用しているため流体モデルと異なり,品質の悪い計算格子が
有っても,必ず収束解を得られます
●充実した技術サポートにより,シミュレーションが始めての方や実験で
忙しい方々も確実に結果を出すことが可能
●その他機能や詳細については、カタログをご覧ください。
価格情報 | お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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納期 | お問い合わせください |
型番・ブランド名 | DSMC-Neutrals |
用途/実績例 |
◆有機EL ( OLED ) シミュレーション ※有機ELシミュレーションにおける成膜速度の均一性、形状の最適化、成膜分布の有機材料温度依存性など ◆分子線エピタキシー ( MBE ) シミュレーション ※分子線エピタキシーシミュレーションにおける分子線セル形状、成膜分布の均一性、濃度分布の最適化など ◆シャワーヘッド型 CVD ( 化学気相成長 ) ※成膜速度の評価 ※膜の均一性の評価 ※気相中の膜成長に影響を及ぼすラジカルの分布 ※基板表面の濃度分布 ※シャワーヘッド部分からチャンバー内へ流入するガス流速や流量の評価 ◆真空ポンプの排気シミュレーション ※コンダクタンスの温度・断面積依存性、ガス溜まり・脱ガスの影響など ◆マクロパーティクル ( ダスト ) の挙動 ※チャンバー内におけるマクロパーティクルの影響など ◆極超音速希薄流 ※物体周りの密度・温度分布、化学反応の影響など ◆衝撃波 ◆ベナール対流 ◆チャンバー内のダストの挙動 ※重力を考慮する必要があるダストの,膜への影響 |
関連ダウンロード
真空装置向け 希薄流体解析ソフト『DSMC-Neutrals』
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
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