電気浸透流を利用した固体材料表面のゼータ電位分析：その技術的背景および物理的限界について<アプリケーションレポート> アプリケーションノート | カタログ

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【測定対象】
ポリマーフィルム (平板状、フィルム状)

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ：20 mm x 10 mm、
　　　　　　　　直径 14 mmまたは 15 mm
サンプル厚さ　：最大 2 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置　SurPASS 3　バイアル用

【測定対象】
バイアル

【測定サンプルの規格】
・規格・タイプ： ISO 規格 2R / 4R、日本規格 2 ml バイアル
・ガラスもしくは樹脂
胴径　　　　　：φ16.0 mm
全長　　　　　： 35.0 mm / 45.0 mm
容量　　　　　：2 ml / 4 ml

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3　コンタクトレンズ用

【測定対象】
ソフトコンタクトレンズ

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1pA )
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：3500 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：2 ～ 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面分析用ゼータ電位測定装置　SurPASS 3

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給 (圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C
【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm (奥行 x 幅 x 高さ)
【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置　SurPASS 3　天然／化学繊維用

【測定対象】
天然 / 化学繊維

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置　SurPASS 3　コアサンプル用

【測定対象】
コアサンプル

【測定サンプルの規格】
サンプル高さ：最大4インチ
サンプル直径：最小1インチ(断面分析)、1インチ(外周面分析)

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置　SurPASS 3　中空糸膜用

【測定対象】
中空糸膜

【測定サンプルの規格】
サンプル長さ：中空糸膜、最小170 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置　SurPASS 3　チューブ用

【測定対象】
フレキシブルチューブ (ポリマーホース、ポリマーチューブ、ポリマー中空繊維膜、カテーテル等)

【測定サンプルの規格】
サンプル長さ：最小 100 mm
サンプル直径：外径 0.7～6 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置　SurPASS 3　セラミック膜用

【測定対象】
チューブ状セラミック膜

【測定サンプルの規格】
サンプル長さ：100 mm
サンプル直径：シングルチャンネル　外径 10 mmまたは 13 mm
　　　　　　　マルチチャンネル　　外径 25 mmまたは 30 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3　平面形状サンプル用

【測定対象】
平板状サンプル

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ：最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm
サンプル厚さ　：最大 40 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3　半導体ウェハ用

【測定対象】
半導体ウェハ (シリコンウェハ、ガリウム砒素 (GaAs) ウェハ、ガリウム燐 (GaP) ウェハ、窒化ガリウム (GaN) ウェハ、シリコンカーバイド (SiC) ウェハ、サファイアウェハ、化合物半導体ウェハ、SAWウェハ)

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ：最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm
サンプル厚さ　：最大 40 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置　SurPASS 3　毛髪サンプル用

【測定対象】
毛髪サンプル

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3　メンブレン用

【測定対象】
メンブレンサンプル

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ：20 mm x 10 mm、
　　　　　　　　直径 14 mmまたは 15 mm
サンプル厚さ　：最大 2 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3　ガラス用

【測定対象】
ガラス

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ：最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm
サンプル厚さ　：最大 40 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

粒子径ゼータ電位分子量測定装置 Litesizer 500

【その他の特長】
■監査証跡を提供し、医薬品業界の法規制に準拠
■逆Ω型のキャピラリーチューブによって再現性の高い測定結果を取得可能

【測定原理】
■動的光散乱 (DLS) による粒径測定
■電気泳動光散乱 (ELS) によるゼータ電位測定
■静的光散乱 (SLS) による分子量測定
■透過率
■屈折率

【一般仕様】
■温度制御範囲：0～90 ℃
■光源　　　　：半導体レーザー/40 mW、658 nm
■動作温度　　：10～35 ℃
■温度　　　　：35～80 ％、結露のないこと
■寸法　　　　：460 mm × 485 mm × 135 mm
■重量　　　　：約18 kg

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