CoolSiC トレンチMOSFET技術を搭載！優れたゲート酸化膜信頼性を実現しています
『F3L11MR12W2M1_B74』は、高い電流のシリコンダイオードを採用しており、
cosφの全範囲に対応し、エネルギー貯蔵システムに好適なモジュールです。
モジュールを並列接続した場合、ソーラーシステムでは150kW、
蓄電システムではモジュールあたり75kWの電力を得ることが可能。
さらに、クラス最高レベルのCoolSiC トレンチMOSFET技術を搭載し、
優れたゲート酸化膜信頼性を実現しています。
【特長】
■CoolSiC トレンチMOSFETテクノロジー
■3レベルのANPCトポロジー
■1200VのスイッチでDC1500Vのフル機能
■Siダイオードの定格電流増加
■PressFITテクノロジー
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【主な利点】
■優れたゲート酸化膜の信頼性
■短くクリーンな整流ループ
■cosφの全範囲に対応し、エネルギー貯蔵システムに好適
■容易なデザインイン
■インバータ設計の高い自由度
■モジュールを2つ並列に接続したソーラーアプリケーションで出力が150kW
■エネルギー貯蔵システムのモジュールあたり75kWの出力
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
■優れたゲート酸化膜の信頼性
■短くクリーンな整流ループ
■cosφの全範囲に対応し、エネルギー貯蔵システムに好適
■容易なデザインイン
■インバータ設計の高い自由度
■モジュールを2つ並列に接続したソーラーアプリケーションで出力が150kW
■エネルギー貯蔵システムのモジュールあたり75kWの出力
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| 用途／実績例 |
【対象アプリケーション】 ■エネルギー貯蔵システム ■太陽エネルギーシステム ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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