不要なターンオンに対する堅牢性をさらに高めることができる半導体です！
『OptiMOS6 パワーMOSFET 40Vノーマルレベル』は、ノイズの多い環境でも
誤作動を起こさないノーマルゲート駆動の半導体です。
QGD/QGS比を小さくすることで、ゲート電圧スパイクのピークを抑え、
不要なターンオンに対する堅牢性をさらに高めることが可能。
「ISC007N04NM6」は、0.7mΩという非常に低いRDS(on)を実現しています。
【特長】
■Nチャネル-エンハンスメントモード
■ノーマルレベルのゲートスレッショルド2.3V(Typ.)
■175℃ジャンクション温度(Tj)
■dv/dtイミュニティに最適化された電荷比QGD/QGS＜0.8
■低いゲートチャージ
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【主な利点】
■ノイズの多い環境でも誤作動を起こさないノーマルゲート駆動
■堅牢な設計の為の動作温度の上昇
■スイッチングロスの低減によるシステムの効率化と電力密度の向上
■FOCやDTCなどのモーター制御技術に適している
■通電性の向上
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
■ノイズの多い環境でも誤作動を起こさないノーマルゲート駆動
■堅牢な設計の為の動作温度の上昇
■スイッチングロスの低減によるシステムの効率化と電力密度の向上
■FOCやDTCなどのモーター制御技術に適している
■通電性の向上
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| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 |
【用途】 ■電池駆動のアプリケーション ■電池式のツール ■バッテリーマネージメント ■低電圧駆動 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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