フォトダイオード(PD )は、半導体の PN 接合部に光を照射したときにその光強度変化を電気信号(電圧、電流)に変換する受光素子です。フォトダイオードはその特性や構造によって、PNPD、PIN-PD、そして APDの3つに大分されています。各々の特性の違いを理解して、用途に応じて使い分けます。
【掲載内容のご紹介】
・ フォトダイオードとは
・ フォトダイオードの用途
・ フォトダイオードの構造と原理
・ 等価回路
・ フォトトランジスタ
光検出素子(フォトダイオード・フォトトランジスタ・光給電素子)の概要に関する解説資料を無料でプレゼントしています!詳しくはPDFをダウンロードしてご入手ください。
弊社の取り扱っているフォトダイオードについての詳細は、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【製品概要】
■フォトダイオード
材料がシリコン(Si)の場合は紫外線、可視光、赤外線(~1100nm)の波長域に感度がありInGaAsなどの化合物半導体が材料の場合はより長波長の赤外線の波長域に感度があります。光源と組み合わせることで様々なセンシングに用いることが可能です。
■フォトトランジスタ
フォトトランジスタは、フォトダイオードとトランジスタが一体化した構造になっています。フォトダイオードで発生した光電流をトランジスタで増幅してから電流を出力する受光素子です。
■アバランシェフォトダイオード
アバランシェフォトダイオードは逆バイアス電圧を印加することで光電子の増倍を行う半導体素子です。増倍を行うことでフォトダイオードより大きな光電流を得ることができます。微弱な光の検出などに適しています。高い逆バイアス電圧の印加が可能なAPDモジュールの取り扱いもございます。
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