株式会社アイテス

ICの不良解析

最終更新日: 2020-08-19 10:41:57.0
不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応

株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。

当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、
不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。

Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を
はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、
「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。

【手法】
■発光解析/OBIRCH解析
■層剥離/サンプル加工
■マイクロプローブ
■PVC解析
■EBAC解析
■物理解析(FIB-SEM, TEM)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報

【発光解析/OBIRCH解析 特長】
■発光/OBIRCH解析によりリーク箇所、あるいは関係しているネットを特定
■Layout Viewerによるレイアウト確認が可能
■カスタマイズされた装置により、様々なサンプルの解析に対応できる

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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用途/実績例 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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