最終更新日:
2021-10-07 17:47:35.0
XPSを使用して簡易的に測定することが可能！酸化物系以外の半導体もお問合せください
アイテスでは、『XPSによるバンドギャップの簡易測定』を行っています。
半導体や絶縁物の中で、比較的バンドギャップが広い物質や薄膜の
バンドギャップを、XPSを使用して簡易的に測定することが可能。
β-Ga2O3のバンドギャップをO1sのピークを使用して測定を行った際は、
O1sのピーク位置とバンドギャップによるエネルギー損失の端部との差より
このβ-Ga2O3のバンドギャップは、約4.9eVと測定されました。
【特長】
■XPSを使用して簡易的に測定できる
■バンドギャップの広いSiON等の薄膜の簡易測定も可能
■酸化物系以外の半導体も対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【測定例】
■Ga2O3のバンドギャップ：O1sを測定
■SiCのバンドギャップ：Si2pを測定
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お問い合わせ
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