モメンティブ・テクノロジーズ・ジャパン株式会社

SiC半導体製造用機能部品

最終更新日: 2022-01-18 17:40:58.0
2000℃以上のSiCプロセスに対応可能な単結晶成長およびCVD用部品。高温でのスパッタやイオン注入に対応する静電チャック。

Momentiveの『タンタルカーバイドコーティング』は、SiC単結晶成長炉、エピタキシャル装置の部品として多くの実績を有しており、『静電チャック』はSiやSiC半導体プロセスの高温イオン注入、スパッタリング工程で使用されています。

【特長】
■タンタルカーバイド
・超高温(2000℃以上)での使用が可能
・複雑な形状にも対応できる優れた被覆性
■静電チャック
・1000℃までのプロセスに対応
・仕様に応じての設計の自由度が高い

※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

基本情報

※詳しくはお問い合わせください。

価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
用途/実績例 ■タンタルカーバイドコーティング
 SiC単結晶成長炉、エピタキシャル(CVD)装置の部品として多くの実績有
■静電チャック
 SiやSiC半導体プロセスの高温イオン注入、スパッタリング工程で実績有

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