最終更新日:
2022-01-18 17:40:58.0
2000℃以上のSiCプロセスに対応可能な単結晶成長およびCVD用部品。高温でのスパッタやイオン注入に対応する静電チャック。
Momentiveの『タンタルカーバイドコーティング』は、SiC単結晶成長炉、エピタキシャル装置の部品として多くの実績を有しており、『静電チャック』はSiやSiC半導体プロセスの高温イオン注入、スパッタリング工程で使用されています。
【特長】
■タンタルカーバイド
・超高温(2000℃以上)での使用が可能
・複雑な形状にも対応できる優れた被覆性
■静電チャック
・1000℃までのプロセスに対応
・仕様に応じての設計の自由度が高い
※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
基本情報
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価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | ■タンタルカーバイドコーティング SiC単結晶成長炉、エピタキシャル(CVD)装置の部品として多くの実績有 ■静電チャック SiやSiC半導体プロセスの高温イオン注入、スパッタリング工程で実績有 |
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