■概要
EBIC信号を測定することにより試料内部の電界構造（半導体の接合構造）に関する情報を得ることができます。結晶中に少数キャリアのライフタイムが短くなるような箇所に敏感で、転位や積層欠陥の位置も特定できます。
■測定原理
試料に電子線を照射すると価電子帯の電子が励起され、電子・正孔対が生成します。通常、電子・正孔対は再結合して消滅しますが、試料の内部に
電界がある場合には電界で加速されてドリフト電流を生じます。
EBIC信号を測定することにより試料内部の電界構造（半導体の接合構造）に関する情報を得ることができます。結晶中に少数キャリアのライフタイムが短くなるような箇所に敏感で、転位や積層欠陥の位置も特定できます。
■測定原理
試料に電子線を照射すると価電子帯の電子が励起され、電子・正孔対が生成します。通常、電子・正孔対は再結合して消滅しますが、試料の内部に
電界がある場合には電界で加速されてドリフト電流を生じます。
