最終更新日:
2020-03-16 11:12:35.0
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
シミュレーションによってTMR比やスピン・電荷の様子を調べることが可能です トンネル磁気抵抗効果(TMR)は薄い絶縁層を挟んでいる強磁性層の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、磁気抵抗メモリ(MRAM)などへの応用が進められています。本資料では非平衡グリーン関数法(NEGF法)を用いた第一原理計算によって、Fe/MgO/Fe接合系に対してTMR比やスピン・電荷の様子を調べた事例を紹介します。また、今回のようなシミュレーションによってバイアス印加時の振舞いや界面における歪み、酸素欠損などがTMRの物性に及ぼす影響についても評価可能です。
お問い合わせ
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
【測定法】質量分析法
【測定法】光電子分光法
【測定法】電子顕微鏡観察・分析
【測定法】振動分光
【測定法】X線回折関連
【測定法】SPM関連
【測定法】故障解析
【測定法】そのほかの測定法
【加工法・処理法】
その他のサービス・サポート情報
【分析事例】LSI・メモリ
【分析事例】光デバイス
【分析事例】太陽電池
【分析事例】燃料電池
【分析事例】ディスプレイ
【分析事例】酸化物半導体
【分析事例】パワーデバイス
【分析事例】電子部品
【分析事例】二次電池
【分析事例】照明
【分析事例】製造装置・部品
【分析事例】バイオテクノロジ
【分析事例】化粧品
【分析事例】食品
【分析事例】医薬品
【分析事例】医療機器
【分析事例】日用品
【分析事例】環境
- 【分析事例】その他
- MSTが出展した展示会の資料
- すべてのカタログ