一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】トンネル磁気抵抗効果を示す Fe/MgO/Fe接合系の理論計算

最終更新日: 2020-03-16 11:12:35.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

シミュレーションによってTMR比やスピン・電荷の様子を調べることが可能です
トンネル磁気抵抗効果(TMR)は薄い絶縁層を挟んでいる強磁性層の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、磁気抵抗メモリ(MRAM)などへの応用が進められています。本資料では非平衡グリーン関数法(NEGF法)を用いた第一原理計算によって、Fe/MgO/Fe接合系に対してTMR比やスピン・電荷の様子を調べた事例を紹介します。また、今回のようなシミュレーションによってバイアス印加時の振舞いや界面における歪み、酸素欠損などがTMRの物性に及ぼす影響についても評価可能です。

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