最終更新日:
2023-04-05 16:20:32.0
プラズマFIB装置を用いて断面を観察！広く破壊されている様子が確認された事例
RC-IGBT（Reverse-Conducting IGBT）を用いた、故障解析事例をご紹介します。
今回はシステムレベルの規格として広く用いられるIEC61000-4-2に倣って、
人体からの放電を模擬したESD破壊の再現実験を行いました。
チップ表面の観察後に、ロックイン発熱解析を行い、微小な故障箇所を特定。
プラズマFIB装置を用いて断面を観察した結果、表面のクレーターから、
トレンチゲート及びその直下のコレクタ領域まで広く破壊されている様子が
確認されました。
【故障解析 手順】
■初動調査（外観観察、電気的特性測定）
■非破壊検査（X線観察、超音波顕微鏡など）
■故障箇所特定（ロックイン発熱解析、IR-OBIRCHなど）
■物理解析（断面研磨、SEMなど）
■詳細解析（FIB、FE-SEM／EDS、STEMなど）
※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【半導体チップの故障原因】
■IGBT製造上の問題
・ゲート絶縁膜破壊
・接合リーク
■実装、使用上の問題
・静電気破壊
・アバランシェ破壊など
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