最終更新日:
2024-01-16 13:11:28.0
絶縁物の測定が可能！セラミック・ガラス等さまざまな材料に適用できます
「X線光電子分光法」は、試料表面(最表面～数nmの深さ)の
元素分析・化学状態分析を行う手法です。
絶縁物の測定が可能なため、金属・半導体・高分子・セラミック・ガラス等
さまざまな材料に適用可能。
表面分析の中でも多用されている手法の一つであり、材料の研究開発や
不良解析に利用されています。
【分析項目】
■表面の組成分析(定性・定量)：ワイドスキャン、ナロースキャン
■化学シフトによる結合状態評価：ナロースキャン、波形分離
■イオンスパッタを使用した深さ方向の組成分析：デプスプロファイル
■X線を走査することにより面分析(マッピング)や線分析も可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【装置仕様】
■装置名：アルバック・ファイ製 PHI5000 VersaProbe III
■X線源：単色化AlKα
■X線ビーム径：φ10～200µm
■スパッタイオン銃：アルゴンイオン
■走査型オージェ電子銃を搭載、XPSと同一箇所をそのままAES分析可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【分析用途】 ■表面汚染の評価 ■表面改質による高分子の官能基評価 ■金属の価数評価 ■酸化・水酸化物等結合状態の評価 ■酸化膜厚値の算出(SiO2換算) ■剥離・変色の原因調査 ■はんだ濡れ不良解析 ■多層膜試料の膜厚算出(SiO2換算) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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