最終更新日:
2024-05-23 16:28:54.0
SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用！IR-OBIRCHで故障箇所を特定
当社で行った「静電気破壊」の故障解析をご紹介いたします。
破壊したサンプルの外観観察、及び非破壊検査においては異常は確認
されず、このことから、故障規模が微小であることを推察。レーザーと
薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を行うことで
微小な故障箇所を絞り込みました。
アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を
用いてSiCチップの断面図を解析した結果、故障したセルのトレンチゲート
左側の酸化膜が破壊している様子が確認されました。
【概要】
■故障箇所特定
・レーザーと薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を
行うことで微小な故障箇所を絞り込んだ
■故障箇所の詳細解析
・アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を
用いてSiCチップの断面図を解析
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