上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
スパッタ方向（アップ、ダウン）も目的に合わせて選択可能でチャンバサイズに合わせて標準型以外の大型カソードも搭載できます。
カソードも膜種に合わせて強磁性体用、コンベンショナルタイプなどの各タイプが選択できます。
その他機構も高温加熱、基板冷却（水冷）、多元同時スパッタなど多くのオプションにより幅広い用途に対応いたします。
関連情報
標準バッチタイプスパッタリング装置（ＳＲＶシリーズ）
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シリーズは基本的に４インチカソード、６インチカソード、８インチカソードを装備したバッチタイプ（標準各３元装備）。それぞれカソードの倍以上の面積を有効成膜範囲としています。
スパッタ方向（アップ、ダウン）も目的に合わせて選択可能でチャンバサイズに合わせて標準型以外の大型カソードも搭載できます。
カソードも膜種に合わせて強磁性体用、コンベンショナルタイプなどの各タイプが選択できます。
その他機構も高温加熱、基板冷却（水冷）、多元同時スパッタなど多くのオプションにより幅広い用途に対応いたします。
超高真空スパッタリング装置（STM2323型）
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標準インラインタイプ
標準６室構成（ロードロック室、カセット室、搬送室、スパッタ室３室）
枚葉式CｔｏＣシステム
到達圧力：１０－⁷ｐａ Order（スパッタ室）
対象基板：φ２～４インチ
オプション機構
高効率強磁性体用カソード、基板磁化機構、エッチング室
カスタマイズ対応
研究開発用スパッタリング装置
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標準仕様
４インチカソード３元装備による多層成膜
ターボ分子ポンプ＋油回転ポンプの高速排気
逆スパッタと基板加熱機構の標準装備による高い膜質の実現
１ｍ□のコンパクトな筐体に多機能を実現
上位機種の各部ユニットを搭載可能
簡易実験用スパッタリング装置
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【その他の特長】
■バッチタイプ
・全手動化し低コスト化
・小型基板での少量生産に充分なプロセス性能を実現
・ハードの信頼性と膜質の安定性を実現
■簡易ロードロックタイプ
・手動搬送機構を装備
・クリーンで高い真空性能
・均一な膜厚・プラズマ・加熱分布性能
・高結晶性窒化膜(AlN)や高反射率金属膜の形成が可能
・紫外ＬＥＤ用ＡｌＮテンプレート作成
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
簡易実験用スパッタリング装置（ＳＲＶ３１００型）
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成膜系：φ３インチカソード １元装備
：高周波電源 １源装備
：基板加熱機構標準装備
：排気系 拡散ポンプ＆油回転ポンプ
操作系：全手動
オプション機構
磁性材用カソード コンベンショナルカソード ＤＣバイアス
逆スパッタ機構 バイアススパッタ機構 基板高温加熱
主ポンプ変更（ターボ分子ポンプ採用）
全自動化
量産対応バッチタイプスパッタリング装置 （STH10311型）
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装置形態
平行平板型サイドスパッタリング装置
カソード：ロータリーマグトロンカソード３元
対応基板：φ４１０までの平板基板
カソード電源：DCおよびRF
付属機構：基板加熱機構、逆スパッタ、バイアススパッタ機構
オプション機構
同時スパッタ機構
CｔｏＣ化、インライン化
側面電極用イオンプレーティング装置（面実装小型部品対応）
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電子銃による真空蒸着を基本とし独自のイオン化機構で緻密で高い密着威力を持つ電極膜を高速形成。
横型タイプを採用し、小さな設置面積で大きな処理量を実現。
電極の形成も密着層・接合電極も同一真空槽で一括形成。成膜前に効果的なプラズマクリーニングも同一バッチで実施。シンプルな装置構成で多層・マルチステップ処理を実現。
部品寸法・形状に合わせ治具や基板保持方法の細かく対応。信頼性の高い基本ハードとカスタマイズで多様な基板と生産ラインに対応。
導電性カーボン薄膜形成装置（アーク放電スパッタリング装置）
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独自開発アーク放電型マグネトロンカソードを多元装備。
導電性カーボン薄膜だけでなく各種反応膜（窒化膜・酸窒化膜）を形成可能
アーク放電型マグネトロンカソードにより成膜前に基板のイオンエッチングや窒化にも対応。
多元カソードをにより基板に合わせて密着層＋導電性カーボン膜の積層成膜。
同時スパッタによる導電性カーボン膜への金属の添加など新材料開発に対応。
実績豊富な基本チャンバ構成による表面処理用大型バッチタイプとＲ＆Ｄ用のコンパクトタイプの２機種をラインナップ
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神港精機株式会社 東京支店
