神港精機株式会社 東京支店

アークフィラメント型イオンプレーティング装置

最終更新日: 2020-02-11 15:27:35.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

酸化膜・炭化膜・厚膜形成 従来のPVDを超える新開発イオンプレーティング装置
新開発イオン化機構搭載。従来のイオンプレーティングでは困難なち密な酸化膜の厚膜形成やSiCの成膜を可能にした新型イオンプレーティング装置。
イットリア膜(10μm)や平滑で硬度と耐酸化性に優れたSiCの形成が可能で精密金型や耐プラズマ性が要求される半導体製造装置部品などへの応用が可能です。

関連情報

PIG式 DLCコーティング装置
PIG式 DLCコーティング装置 製品画像

【DLC膜の特長】
■摺動部品
・高硬度
・低摩擦係数=0.1
・低い相手攻撃性
■切削工具、金型
・耐摩耗性
・非溶着性
・ドライ加工
■光学部品
・赤外通過性
・屈折率=2
・表面平滑性

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

アーク放電型高真空イオンプレーティング装置
アーク放電型高真空イオンプレーティング装置 製品画像

※詳しくはPDF資料をダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

アークフィラメント式イオンプレーティング装置 
アークフィラメント式イオンプレーティング装置  製品画像

電子銃による各種材料の安定蒸発と新型イオン化機構による高密度プラズマで反応膜を高速形成。
各種生成膜
硬質耐酸化性膜:SiC
耐プラズマ性膜:Y²O³
硬質窒化膜  :TiN,CrN,TiC
硬質酸化膜  :AI²O³ 
半導体製造装置部品の表面処理膜から精密金型の耐酸化性コーティングまで新機能表面処理用コーティング装置

イットリアコーティング装置(AF-IP装置)
イットリアコーティング装置(AF-IP装置) 製品画像

電子ビームによる各種材料の蒸発とアークフィラメント式イオン化法により安定して反応膜生成膜(窒化膜・酸化膜・炭化膜)を形成。
成膜レートも反応ガス流量のみで制御。シンプルで信頼性の高いハードにより最新の成膜プロセスを提供

充実の成膜プロセス
・耐プラズマ性イットリア膜(10μm)
・耐酸化性硬質膜SiC(7μm)
その他従来型硬質膜 TiN、TiC,CrN
その他成膜対応 

 

SiCコーティング装置(AF-IP装置)
SiCコーティング装置(AF-IP装置) 製品画像

電子銃による個体シリコンの蒸着を基本としたイオンプレーティング装置。
高密度のプラズマを形成できるシンプルなイオン化機構によりシリコン上記と反応ガスとのリアクティブプロセスを実現。
基板の形状や成膜の目的に合わせて基板設置方法や治具も専用設計。
立体形状基板の全面成膜やマスク成膜も可能。
クリーンで操作容易な全自動イオンプレーティング装置。

お問い合わせ

下記のフォームにお問い合わせ内容をご記入ください。
※お問い合わせには会員登録が必要です。

至急度  [必須]
ご要望  [必須]
目的  [必須]
添付資料
お問い合わせ内容 
【ご利用上の注意】
お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。
はじめてイプロスをご利用の方 はじめてイプロスをご利用の方 すでに会員の方はこちら
イプロス会員(無料)になると、情報掲載の企業に直接お問い合わせすることができます。
メールアドレス

※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。

神港精機株式会社 東京支店

ページの先頭へ