緻密な酸化膜厚膜(~10μm)を高速形成。新開発イオン化機構搭載 CVD代替高密度イオンプレーティング装置
緻密で耐プラズマ性の高いイットリア膜やSiC膜を高速形成。
高密度プラズマによる反応性プロセスによりCVDより低温で溶射法より緻密な膜質を実現。
半導体関連部品にも応用可能なクリーンな成膜プロセスを実現。
PVD法のため装置のメンテナンスも容易で低コスト。
絶縁膜(酸化膜・炭化膜)を高速形成。緻密な厚膜を高速形成。従来型のイオンプレーティング法の弱点を克服。
新たな表面機能を生み出す用途創成型最新PVD装置
電子銃による各種材料の安定蒸発と新型イオン化機構による高密度プラズマで反応膜を高速形成。
各種生成膜
硬質耐酸化性膜:SiC
耐プラズマ性膜:Y²O³
硬質窒化膜 :TiN,CrN,TiC
硬質酸化膜 :AI²O³
半導体製造装置部品の表面処理膜から精密金型の耐酸化性コーティングまで新機能表面処理用コーティング装置
各種生成膜
硬質耐酸化性膜:SiC
耐プラズマ性膜:Y²O³
硬質窒化膜 :TiN,CrN,TiC
硬質酸化膜 :AI²O³
半導体製造装置部品の表面処理膜から精密金型の耐酸化性コーティングまで新機能表面処理用コーティング装置
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用途/実績例 |
金型表面処理 非球面レンズ:SiC膜 半導体部品 治工具:SIC Y²O³ |
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アークフィラメント式イオンプレーティング装置
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神港精機株式会社 東京支店