耐プラズマ性に優れたイットリア（Ｙ２Ｏ３）膜をＰＶＤ法で形成。 新開発イオンプレーティング法で厚膜（１０μｍ）を実現
新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により緻密な酸化膜の厚膜（１０μｍ）を低温で形成
半導体製造装置部品に対応した優れた耐プラズマ性をもつイットリア膜の成膜に対応。
イオンプレーティング法によるシンプルなプロセスで緻密な膜質を実現。
イットリア膜だけでなくＳｉＣやＴｉＣ、ＣｒＮなどの各種反応膜を固体金属材料より形成可能。
独自開発イオンプレーティング法により表面処理の新たな用途を開拓
電子ビームによる各種材料の蒸発とアークフィラメント式イオン化法により安定して反応膜生成膜（窒化膜・酸化膜・炭化膜）を形成。
成膜レートも反応ガス流量のみで制御。シンプルで信頼性の高いハードにより最新の成膜プロセスを提供
充実の成膜プロセス
・耐プラズマ性イットリア膜（１０μｍ）
・耐酸化性硬質膜ＳｉＣ（７μｍ）
その他従来型硬質膜 ＴｉＮ、ＴｉＣ，ＣｒＮ
その他成膜対応
成膜レートも反応ガス流量のみで制御。シンプルで信頼性の高いハードにより最新の成膜プロセスを提供
充実の成膜プロセス
・耐プラズマ性イットリア膜（１０μｍ）
・耐酸化性硬質膜ＳｉＣ（７μｍ）
その他従来型硬質膜 ＴｉＮ、ＴｉＣ，ＣｒＮ
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| 用途／実績例 |
イットリアコーティング ・半導体製造装置部品表面処理 ・耐熱性部品表面処理 ＳｉＣコーティング ・半導体製造装置部品表面処理 ・精密金型 ・耐酸化性表面処理 |
関連ダウンロード
イットリアコーティング装置（ＡＦ－ＩＰ装置）
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
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神港精機株式会社 東京支店
