上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
カタログ発行日：20160406
波長２８５ｎｍで親撥水処理パターン描画装置 波長２８５ｎｍの表面改質露光・光源 １）有機物の分子結合エネルギーを切断できるフォトンエネルギー。ポリイミド膜等の表面に親水領域を描画します。
２）インクジェット・インクをパターン上に導き、バルジ等を改善します
・２８５ｎｍ高出力ＵＶＬＥＤ使用の安価光学系
・パターン幅20０マイクロｍ ・描画域 100×100mm ・ＤＸＦファイル使用可
1）有機物の分子結合エネルギーを切断できるフォトンエネルギー
2）有機物の揮発除去には、活性化酸素が不可欠。
発生はフォトンエネルギー依存。285nmは約420ｋJ/molの
高エネルギーで有機物の除去に非常に有効です。
・耐紫外線劣化防止工法
関連情報
次世代『プリンテッドエレクトロニクス』元年
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【2016年に向けた新たな取組】
■インク攪拌・分散装置
■285mm波長での親水撥水領域描画装置
■285ｍｍ波長での表面改質露光機
■インク輸送・循環ポンプ
■高粘度（45cps）
■MWCNTによる伸縮性ペーストの応用展開
●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
波長285nm親撥水処理パターン描画装置
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１）有機物の分子結合エネルギーを切断できるフォトンエネルギー。
ポリイミド膜等の表面に親水領域を描画します。
２） インクジェット・インクをパターン上に導き、バルジ等を改善します
・285nm高出力ＵＶＬＥＤ使用の安価光学系
・パターン幅20０μｍ ・描画域 100×100mm
・ＤＸＦファイル使用可
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株式会社ワイ・ドライブ
