ダメージフリー・パーティクルフリーの大気圧プラズマ装置
大気圧プラズマ装置「AP Plasma Precise II」は、窒素ガスをベースとし、誘電体バリア放電を利用しワーク自体を電磁界エリアから隔離し、リアクター内で励起されたラジカル等のみを使用した装置です。
これによりワークへのダメージを与えない状態で連続処理が可能になりました。
また、ワークが帯電した状態でも除電され、処理後の気中のパーティクル付着もありません。
【特徴】
○電極交換（誘電体部）不要
○幅広処理（100ミリ～3000ミリ）
○ダウンストリーム型電極形式の為、処理面に対しダメージ発生がない。
○2年毎のメンテナンスのみ
詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
【大気圧プラズマ装置の優位点】
■ドライ処理のため乾燥工程が不要
■目的とする接触角をコントロールできる
■活性ガス(各種ラジカル)の侵入部分全て処理ができる
■添加ガス変更で、撥水・還元処理やエッチング、CVD装置プラズマソースとして使用できる
■装置がコンパクト(省スペース)
■排ガス等の後処理も不要
■処理表面への電気的、物理的ダメージがない(ダウンストリーム型)
■処理後の帯電がない(ダウンストリーム型)
■半導体素子上の処理でも素子特性変化がない（完全な高周波電力遮蔽）
■処理中のUVダメージがない
■Particle発生がない(ダウンストリーム型)
■残渣物が出来ない表面乾燥ができる
■高密度ラジカル発生により、窒素ガスを半減、生産性の向上に寄与
■添加ガス種の変更により、接着界面に見合う供給結合分子付与の選択が可能
■パーティクルフリー
■ドライ処理のため乾燥工程が不要
■目的とする接触角をコントロールできる
■活性ガス(各種ラジカル)の侵入部分全て処理ができる
■添加ガス変更で、撥水・還元処理やエッチング、CVD装置プラズマソースとして使用できる
■装置がコンパクト(省スペース)
■排ガス等の後処理も不要
■処理表面への電気的、物理的ダメージがない(ダウンストリーム型)
■処理後の帯電がない(ダウンストリーム型)
■半導体素子上の処理でも素子特性変化がない（完全な高周波電力遮蔽）
■処理中のUVダメージがない
■Particle発生がない(ダウンストリーム型)
■残渣物が出来ない表面乾燥ができる
■高密度ラジカル発生により、窒素ガスを半減、生産性の向上に寄与
■添加ガス種の変更により、接着界面に見合う供給結合分子付与の選択が可能
■パーティクルフリー
| 価格情報 |
お問い合わせ下さい。 各種、卓上式実験機製造、立ち合い実験実施中 |
|---|---|
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| 型番・ブランド名 | 「AP Plasma Precise シリーズ |
| 用途／実績例 | ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 |
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大気圧プラズマ装置「AP Plasma Precise II」
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