"大気圧プラズマ装置の処理形態"や"当社独自の装置特長"などについて解説しています
ここではコロナ処理や、アーク等を用いた装置ではなく、
完全なるバルクプラズマを発生させた大気圧プラズマ装置を主体に置き、説明しております。
特殊電極構造を用い、窒素ガス・希ガス等をベースに高周波電力を電極に印可し、
高密度プラズマを発生させることによりが生成された高密度の活性種が
ワーク表面に官能基や水酸基、アミン基を付与し、
濡れ性や、塗布性能、有機物除去等の処理が可能になります。
添加ガスを変えることにより、選択的に付与される分子を生成され、
撥水化、還元等、薄膜体積、ドライエッチング等の処理が可能になります。
また、洗浄工程や、メッキ処理時前にプラズマ処理を行うことで、
処理表面を活性化し薬液との反応性を高め洗浄性能の向上や
気泡の除去等に役立ちます。
処理に関してワークの性格や、次工程への状況を踏まえ、
下記に纏める大気圧プラズマ装置選定時の最適化のご参考になれば幸いです。
また、接着材を用いない接着剤レス接着に関して、
銅箔との分子結合を主体とした接着技術が伝送ロスを低減し、
５G、６G向けのFCCL等の製造に寄与できるものと考えます。
【当社独自の装置特長（ダウンストリーム型）】
■幅広、長尺物への均一処理（100ミリ～3000ミリ）
■半導体チップ上の処理も可能（処理後のトランジスタ特性変化なし）
■4nmのＬ＆Ｓでも絶縁破壊等の発生が無い
■ワーク内部の分子間架橋特性変化や分子切断の影響やダメージ発生がない
■Particle発生が無い（0.3μ以上及び2.83SLMのサンプリング時）
■窒素消費が少ない（従来比４５％削減）
■処理後のワークへの帯電はほぼゼロ
【当社大気圧プラズマ装置】
■ダウンストリーム型：Precise シリーズ
■プラナー型：Precise Pシリーズ
■スポット型：Precise Sシリーズ
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
■幅広、長尺物への均一処理（100ミリ～3000ミリ）
■半導体チップ上の処理も可能（処理後のトランジスタ特性変化なし）
■4nmのＬ＆Ｓでも絶縁破壊等の発生が無い
■ワーク内部の分子間架橋特性変化や分子切断の影響やダメージ発生がない
■Particle発生が無い（0.3μ以上及び2.83SLMのサンプリング時）
■窒素消費が少ない（従来比４５％削減）
■処理後のワークへの帯電はほぼゼロ
【当社大気圧プラズマ装置】
■ダウンストリーム型：Precise シリーズ
■プラナー型：Precise Pシリーズ
■スポット型：Precise Sシリーズ
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格情報 |
装置価格は処理幅（プラズマ幅）で変わりますので、サイズをご指定下さい。 卓上式実験装置製作 サンプルワーク実施中 |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 型番・ブランド名 | Preciseシリーズ |
| 用途／実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
関連ダウンロード
今さら聞けない大気圧プラズマ装置の選び方 ※解説資料進呈
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
お問い合わせ
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
株式会社イー・スクエア （株）イー・スクエア
