発熱解析は、電圧印加によってリーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで
検出する事で不良箇所を特定する手法です。
ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で
半導体等の電子部品の故障部を非破壊で特定する事が可能。
更にX線検査装置を用いる事で非破壊での観察もできます。
【特長】
■リーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで検出する事で不良箇所を特定
■サンプルを非破壊の状態で解析したり、OBIRCHやエミッションでは
解析が難しい電子部品を解析する事も可能
■ロックイン機能を使用し、位相情報を取得する事で、高精度な発熱箇所の
特定が可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【装置仕様】
■観察視野サイズ:9.5x7.5mm~1.2x0.96mm
■検出波長領域:3.7um~5.1um
■最大印加電圧、電流:1.5kv/120mA 3kV/20mA
■ロックイン周波数:0.1Hz~83Hz
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