株式会社アイテス

発熱解析による電子部品の故障箇所特定

最終更新日: 2023-01-12 17:18:19.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

関連情報

発熱解析による電子部品の故障箇所特定
発熱解析による電子部品の故障箇所特定 製品画像
【装置仕様】
■観察視野サイズ:9.5x7.5mm~1.2x0.96mm
■検出波長領域:3.7um~5.1um
■最大印加電圧、電流:1.5kv/120mA 3kV/20mA
■ロックイン周波数:0.1Hz~83Hz

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワー半導体の解析サービス
パワー半導体の解析サービス 製品画像
【故障箇所特定から拡散層評価や結晶構造などの物理解析まで対応】
■裏面発光/ OBIRCH解析による故障箇所特定
■故障箇所への高精度位置特定、FIB加工
■不良箇所のFIB/LV-SEM観察、EBIC解析による拡散層形状評価
■TEM観察による結晶構造観察、元素分析

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X線透視・CT検査装置『Cheetah EVO』
X線透視・CT検査装置『Cheetah EVO』 製品画像
【事例】
・X線透視・CT検査装置(リフローシミュレータ)【動画あり】
・X線透視・CT検査装置(BGAはんだクラック解析事例)
・X線透視・CT検査装置(LED不良透視観察事例)【動画あり】など

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パワーデバイスの故障解析
パワーデバイスの故障解析 製品画像
・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨
 Siチップサイズ:200um~15mm

・IR-OBIRCH解析: ~100mA/10V ~100uA/25V まで対応
         感度:数十pA
         低倍最大視野:6.5mm角

・エミッション解析: ~2kV まで対応
          感度:数nA
          低倍最大視野:6.5mm角

・特定位置精度: ±0.3um、試料厚1.5um~0.1um

・機械研磨SEM観察: 大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察

・拡散層観察: TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能
       構造により前処理が必要な場合あり

・FIB-SEM観察: クラック・形状異常・拡散層観察(~×50k)

・断面TEM観察: ゲート酸化膜の破壊・転位(~400k)
 

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