最終更新日:
2024-04-17 13:45:46.0
絶縁破壊電界強度はシリコンウェハーに対して約10倍！SiCウェハー・SiCウエハーの価格競争力は抜群！パワー半導体向けに！
『SiCウェハー・SiCウエハー』とは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種です。
SiCとは珪素と炭素の化合物である「炭化珪素」。
より高度な半導体デバイスを製造するために生み出された当製品は、
一般的なシリコンウェハーよりもはるかに優秀な特性を持っています。
また、電子が存在することのできない「バンドギャップ」がシリコンウェハーの約3倍！SiCウェハー・SiCウエハーの価格競争力は抜群！パワー半導体向けに！
【特長】
■高い電界をかけても壊れにくい
■熱に強い機器の製造に役立つ
■機器の動作上限温度を向上させる
■熱伝導率が高いため放熱性に優れている
【提供ウェハ】
８インチ N型 Production ４H-SiC
８インチ N型 Dummy ４H-SiC
６インチ N型 Production ４H-SiC
６インチ N型 Dummy ４H-SiC
６インチ高純度半絶縁性ウエハー ４H-SiC
６インチ N型 P-MOS ４H-SiC
６インチ N型 P-SBD ４H-SiC
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【その他の特長】
■シリコンに比べてバンドキャップ幅が約3倍広い
■様々なパワー半導体の他、RFアンプや発光ダイオード(LED)の基板としても使用
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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|---|---|
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| 用途／実績例 | 【用途】 ■パワー半導体や、高輝度のLED ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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