最終更新日:
2024-04-19 16:41:53.0
バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポイント！
当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。
GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの
材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが
注目され、近年では先進パワー半導体の材料として応用されています。
ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。
【基本仕様(一部)】
■直径：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6"
■GaN膜厚：3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、～100μm特別指定可能
■結晶方位：C-axis(0001)
■導電タイプ：Un Dope、N-type、P-type
■XRD：(002)≦300arsec、(102)≦400arsec
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基本情報
【その他の基本仕様(一部)】
■結晶構造：GaN on Sapphire/GaN on Silicon/GaN on SiC
■Sub墓板：サファイア基坂/シリコン基板/SiC基板/GaAs基板
■梱包：クリーンルーム(クラス100)、25枚入りカセットケース、シングルケース
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