配線自由度を向上させるスタックドビア技術を進化！高速伝送用の微細回路形成用に、膜厚均一性に特化した銅めっき用添加剤を新たに開発
新型コロナウイルスによってわたしたちのライフスタイルは大きく変化し、リモートワークやオンラインビジネスが主流になっています。5Gスマートフォン、パソコン、データセンター、カーエレクトロニクスなどの分野で情報通信機器の需要はさらに高まっており、それらに使用される半導体パッケージ基板にも、さらなる高性能化・高密度化が求められています。
スマートフォンやモジュール用のプリント配線板にはビルドアップ工法が一般的であり、当社の電気銅めっき添加剤は、その部門において多くの採用実績があります。
奥野製薬工業は、回路の配線自由度を向上させるスタックドビア技術を進化させて、高速伝送に用いられる微細回路形成用に、膜厚均一性に特化した電気銅めっき用添加剤を新たに開発しました。
半導体パッケージ基板では、絶縁層厚が約30μmのビアホールを電気銅めっきにて表面膜厚約15μmで充填します。埋め込み性に優れたビアフィリングめっき用添加剤を用いて、ビアホール内に銅を十分に充填させると、オーバーフィリングと呼ばれる現象が起きて、めっきされたビアホールの表面がドーム状になります。ビアホールへの充填不足は、層間接続の信頼性低下につながりますので、パッケージ基板メーカーは、一般的にドーム状ビアフィリングを標準としています。しかし、最外層のめっきが過剰なドーム形状を示すと、実装部品の接続信頼性が低下します。
当社の「トップルチナHS5」は、抑制剤の分子構造の最適化による分極特性の向上によって、優れたビアフィリング性能を維持しながら、高い膜厚均一性とオーバーフィリングの抑制を実現しました。当製品は、高速伝送向けの微細回路形成に最適であり、電子部品と半導体パッケージング基板の生産性向上と信頼性の向上に貢献します。
当社の「トップルチナHS5」は、抑制剤の分子構造の最適化による分極特性の向上によって、優れたビアフィリング性能を維持しながら、高い膜厚均一性とオーバーフィリングの抑制を実現しました。当製品は、高速伝送向けの微細回路形成に最適であり、電子部品と半導体パッケージング基板の生産性向上と信頼性の向上に貢献します。
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半導体パッケージ基板 ICサブストレート |
関連ダウンロード
高膜厚均一性 ビアフィリング用硫酸銅めっき添加剤
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