固体サンプル用ゼータ電位測定装置 SurPASS 3<カタログ>

関連情報

材料の分析、合成、サンプル調製、ならびにプロセス計測用の高品質・高精度な製品を開発製造、最高水準の精度と卓越した剛性で高く評価されており、全世界の産業・研究分野で広く使用されています。

【主な製品カテゴリ】
○密度・比重および濃度の測定
○飲料の分析
○旋光度測定
○屈折率測定
○粘度測定
○粘弾性測定
○プロセス機器
○マイクロ波合成技術
○前処理装置
○固体表面分析
○X線構造解析装置

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固体表面分析用ゼータ電位測定装置　SurPASS 3

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給 (圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C
【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm (奥行 x 幅 x 高さ)
【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置　SurPASS 3　バイアル用

【測定対象】
バイアル

【測定サンプルの規格】
・規格・タイプ： ISO 規格 2R / 4R、日本規格 2 ml バイアル
・ガラスもしくは樹脂
胴径　　　　　：φ16.0 mm
全長　　　　　： 35.0 mm / 45.0 mm
容量　　　　　：2 ml / 4 ml

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3　コンタクトレンズ用

【測定対象】
ソフトコンタクトレンズ

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1pA )
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：3500 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：2 ～ 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置　SurPASS 3　天然／化学繊維用

【測定対象】
天然 / 化学繊維

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置　SurPASS 3　コアサンプル用

【測定対象】
コアサンプル

【測定サンプルの規格】
サンプル高さ：最大4インチ
サンプル直径：最小1インチ(断面分析)、1インチ(外周面分析)

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置　SurPASS 3　中空糸膜用

【測定対象】
中空糸膜

【測定サンプルの規格】
サンプル長さ：中空糸膜、最小170 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置　SurPASS 3　チューブ用

【測定対象】
フレキシブルチューブ (ポリマーホース、ポリマーチューブ、ポリマー中空繊維膜、カテーテル等)

【測定サンプルの規格】
サンプル長さ：最小 100 mm
サンプル直径：外径 0.7～6 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置　SurPASS 3　セラミック膜用

【測定対象】
チューブ状セラミック膜

【測定サンプルの規格】
サンプル長さ：100 mm
サンプル直径：シングルチャンネル　外径 10 mmまたは 13 mm
　　　　　　　マルチチャンネル　　外径 25 mmまたは 30 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 ポリマーフィルム

【測定対象】
ポリマーフィルム (平板状、フィルム状)

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ：20 mm x 10 mm、
　　　　　　　　直径 14 mmまたは 15 mm
サンプル厚さ　：最大 2 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3　平面形状サンプル用

【測定対象】
平板状サンプル

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ：最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm
サンプル厚さ　：最大 40 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3　半導体ウェハ用

【測定対象】
半導体ウェハ (シリコンウェハ、ガリウム砒素 (GaAs) ウェハ、ガリウム燐 (GaP) ウェハ、窒化ガリウム (GaN) ウェハ、シリコンカーバイド (SiC) ウェハ、サファイアウェハ、化合物半導体ウェハ、SAWウェハ)

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ：最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm
サンプル厚さ　：最大 40 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置　SurPASS 3　毛髪サンプル用

【測定対象】
毛髪サンプル

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3　メンブレン用

【測定対象】
メンブレンサンプル

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ：20 mm x 10 mm、
　　　　　　　　直径 14 mmまたは 15 mm
サンプル厚さ　：最大 2 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3　ガラス用

【測定対象】
ガラス

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ：最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm
サンプル厚さ　：最大 40 mm

【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
　　　　　圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH　　　：pH 2～pH 12
導電率　：0.1～1000 mS/m
温度　　：20～40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

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