株式会社アントンパール・ジャパン

CMP工程におけるウェハ粒子相互作用とゼータ電位の関連性<アプリケーションレポート>

最終更新日: 2023-12-07 14:30:24.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

カタログ発行日:2023/12
Litesizer 500 とSurPASS 3 を使用したゼータ電位の分析はスラリー条件を最適化しCMP後の洗浄の労力を軽減
ウェハ表面によるスラリー粒子の静電反発力は、粒子の付着を直接防止するため、CMP工程の成功の鍵となっています。

粒子とウェハの界面における静電相互作用は、ゼータ電位測定により決定できます。

ウェハと粒子のゼータ電位がある大きさを超えたとき、静電反発力が生じウェハ表面に粒子が付着しにくくなることが期待されます。

関連項目: 半導体、CMP、スラリー、静電相互作用

関連情報

粒子径 ゼータ電位 分子量測定装置 Litesizer 500
粒子径 ゼータ電位 分子量測定装置 Litesizer 500 製品画像
【その他の特長】
■監査証跡を提供し、医薬品業界の法規制に準拠
■逆Ω型のキャピラリーチューブによって再現性の高い測定結果を取得可能

【測定原理】
■動的光散乱 (DLS) による粒径測定
■電気泳動光散乱 (ELS) によるゼータ電位測定
■静的光散乱 (SLS) による分子量測定
■透過率
■屈折率

【一般仕様】
■温度制御範囲:0~90 ℃
■光源    :半導体レーザー/40 mW、658 nm
■動作温度  :10~35 ℃
■温度    :35~80 %、結露のないこと
■寸法    :460 mm × 485 mm × 135 mm
■重量    :約18 kg

※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 ポリマーフィルム
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 ポリマーフィルム 製品画像
【測定対象】
ポリマーフィルム (平板状、フィルム状)

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ :20 mm x 10 mm、
        直径 14 mmまたは 15 mm
サンプル厚さ :最大 2 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 バイアル用
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 バイアル用 製品画像
【測定対象】
バイアル

【測定サンプルの規格】
・規格・タイプ: ISO 規格 2R / 4R、日本規格 2 ml バイアル
・ガラスもしくは樹脂
胴径     :φ16.0 mm
全長     : 35.0 mm / 45.0 mm
容量     :2 ml / 4 ml

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 コンタクトレンズ用
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 コンタクトレンズ用 製品画像
【測定対象】
ソフトコンタクトレンズ

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1pA )
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:3500 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :2 ~ 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面分析用ゼータ電位測定装置 SurPASS 3
固体表面分析用ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 製品画像
【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給 (圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C
【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm (奥行 x 幅 x 高さ)
【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 天然/化学繊維用
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 天然/化学繊維用 製品画像
【測定対象】
天然 / 化学繊維

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 コアサンプル用
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 コアサンプル用 製品画像
【測定対象】
コアサンプル

【測定サンプルの規格】
サンプル高さ:最大4インチ
サンプル直径:最小1インチ(断面分析)、1インチ(外周面分析)

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 中空糸膜用
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 中空糸膜用 製品画像
【測定対象】
中空糸膜

【測定サンプルの規格】
サンプル長さ:中空糸膜、最小170 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 チューブ用
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 チューブ用 製品画像
【測定対象】
フレキシブルチューブ (ポリマーホース、ポリマーチューブ、ポリマー中空繊維膜、カテーテル等)

【測定サンプルの規格】
サンプル長さ:最小 100 mm
サンプル直径:外径 0.7~6 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 セラミック膜用
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 セラミック膜用 製品画像
【測定対象】
チューブ状セラミック膜

【測定サンプルの規格】
サンプル長さ:100 mm
サンプル直径:シングルチャンネル 外径 10 mmまたは 13 mm
       マルチチャンネル  外径 25 mmまたは 30 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 平面形状サンプル用
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 平面形状サンプル用 製品画像
【測定対象】
平板状サンプル

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ :最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm
サンプル厚さ  :最大 40 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 半導体ウェハ用
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 半導体ウェハ用 製品画像
【測定対象】
半導体ウェハ (シリコンウェハ、ガリウム砒素 (GaAs) ウェハ、ガリウム燐 (GaP) ウェハ 、窒化ガリウム (GaN) ウェハ、シリコンカーバイド (SiC) ウェハ、サファイアウェハ、化合物半導体ウェハ、SAWウェハ)

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ :最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm
サンプル厚さ  :最大 40 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 毛髪サンプル用
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 毛髪サンプル用 製品画像
【測定対象】
毛髪サンプル

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 メンブレン用
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 メンブレン用 製品画像
【測定対象】
メンブレンサンプル

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ :20 mm x 10 mm、
        直径 14 mmまたは 15 mm
サンプル厚さ :最大 2 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 ガラス用
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 ガラス用 製品画像
【測定対象】
ガラス

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ :最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm
サンプル厚さ  :最大 40 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg

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