最終更新日:
2024-02-22 13:28:15.0
中真空域でのスパッタリング技術を使用し世界で初めて銅ダイレク成膜 によるめっきシード層形成技術の開発
■ 真空プロセスにも関わらず無電解めっきなど従来工法同等以上の生産性を実現
■ HCDによる高い改質効果とめっきシード層などに適合した導体層膜形成が可能
■ 高アスペクト比のTHや小径ブラインドビアへの導体層形成が可能
■ Conventional PVD装置に比べ圧倒的な装置コスト競争力がある
基本情報
有機絶縁材やガラスなどに銅ダイレクト成膜にて高い密着特性が得られる
価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
型番・ブランド名 | New Generation PVD装置 |
用途/実績例 | TGV成膜 回路形成 |
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