最終更新日:
2020-01-17 09:14:31.0
濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析に有効です
株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。
マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に
線形な相関を持つ信号が特長です。
sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を
照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に
線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。
反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、
不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、
濃度の変化をCの変化として検出します。
【適用例】
■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の
可視化およびドーパント濃度の半定量評価
■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化
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