株式会社アイテス

アイテス 装置一覧

最終更新日: 2024-07-19 10:12:12.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

各種装置を駆使し、好適なソリューションを提供します。
電子部品の解析・評価 受託サービス
■物理解析/化学分析
■製品解析/不良解析/故障解析
■信頼性評価試験

関連情報

ラッチアップ試験受託サービス
ラッチアップ試験受託サービス 製品画像
■電流パルス印加法(JEDEC・JEITA・AEC)
■電源過電圧法(JEDEC・JEITA・AEC)
■電圧パルス印加法(AEC)
■ESDパルス印加法(参考試験)
■ラッチアップ判定法(JEDEC方式・電流定義方式)
■試験前後の保護ダイオード特性測定にも対応します。
■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。

*VCC電源搭載数:4台(100V/0.5A:1台、50V/1A:3台)
         多電源デバイスの対応が可能
*電源過電圧法の最大電圧:150V(VCC電圧+VTパルス電圧⇒最大150V)
微小異物分析のためのサンプリング技術
微小異物分析のためのサンプリング技術 製品画像
■さらに強化されたマイクロサンプリングツール
 新規導入されたマイクロサンプリングツールは
 顕微鏡下でマニュピレータを用い
 正確に狙った異物を捕らえます

■5umに満たない微小異物でも
 多数集めてFT-IRにて測定することが可能です
イメージング顕微FT-IRによる微小異物の分析
イメージング顕微FT-IRによる微小異物の分析 製品画像
■特徴

1.測定方法
  イメージでデータ収集し、ピクセル単位でスペクトル表示

2.測定領域
  透過法/反射法 175um、ATR法/35um

3.空間分解能(ピクセルサイズ)
  透過法/反射法 5.5um、ATR法 1.1um
海外製部品・製品 評価サービス
海外製部品・製品 評価サービス 製品画像
■信頼性試験
・温度サイクル試験
・冷熱衝撃試験
・高温高湿バイアス試験
・高温保存試験
・高度加速寿命試験
・プリコンディション
・ホットオイル試験
・In-situ常時測定
・イオンマイグレーション試験
・エレクトロマイグレーション試験

■評価試験
・接合強度試験
 プル/シェア試験
・機械的強度試験
 振動・衝撃試験、落下試験、圧縮強度・ズレ強度
・ESD/Latch Up/CDM試験
・はんだ濡れ性試験
・電気特性計測
・塩水噴霧試験
・X線透過観察
・SAT(超音波顕微鏡)観察
ESD(CDM)試験受託サービス
ESD(CDM)試験受託サービス 製品画像
■印加電圧0Vから±4000Vまで、5Vステップ
■最大 1024ピン まで対応します。
■プローブ移動精度:0.1mm
■印加ユニット:JEDEC(JESD22-C101F)、JEITA、EIAJ、AEC
■チャージ法
 FI-CDM:電界誘導法(JEDEC・AEC)
 D-CDM:直接チャージ法(JEITA・EIAJ・AEC)

☆車載向け電子部品規格:AEC-Q100-011の試験サービスを開始
 AEC規格のField Induced CDM(FI-CDM)試験対応が可能です。
 AEC規格のDirect CDM(D-CDM)試験対応が可能です。
ESD(HBM・MM)試験受託サービス
ESD(HBM・MM)試験受託サービス 製品画像
■HBM試験(C=100pF、R=1.5kΩ)
 ±5~±4500V(Step:5V)
■MM試験(C=200pF、R=0Ω)
 ±5~±2000V(Step:5V)
■単一印加、ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等
 多様な印加条件に対応します。
■破壊判定方法は、保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、
 VoL/VoH特性評価、電源ピンの特性評価の4種類に対応します。
■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。
信頼性保証サービスのご紹介
信頼性保証サービスのご紹介 製品画像
■高度加速寿命試験
 内寸(最大) Φ545×L550mm
 温湿度範囲 +105~162.2℃/75~100%RH

■冷熱衝撃試験
 内寸(最大) W970×H460×D670mm
 温度範囲 -65℃~0℃/+60℃~200℃

■恒温恒湿試験
 内寸(最大) W1000×H1000×D720mm
 温湿度範囲 -70℃~+150℃/20~98%RH

■液槽冷熱衝撃試験
 試料カゴ(最大) W320×H240×D320mm
 耐荷重(最大) 10kg
 温度範囲 -65℃~0℃/+60℃~150℃
クロスビームFIBによる断面観察
クロスビームFIBによる断面観察 製品画像
半導体デバイス、MEMS、TFTトランジスタなど
ナノスケールで製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を
クロスビームFIBによる断面観察で行います。

1)FIB加工をリアルタイムで観察できるため目的の箇所を確実に捉えます。
2)2つの二次電子検出器(In-Lens/チャンバーSE)により試料から様々な情報が得られます。
3)加工用FIBと観察用低加速SEMを1つのチャンバーに集約し大気に曝すことなく観察。
4)拡散層:PN界面の可視化が可能。N+/N-及びP+/P-の濃度差は検出不可。
実装部品接合部の解析
実装部品接合部の解析 製品画像
■基板接合部機械研磨
 +化学エッチング
 +イオンミリング
 光学顕微鏡、SEMによる観察

■FIBによる断面作成
 SEMによる観察
ESD/ラッチアップ試験受託サービス
ESD/ラッチアップ試験受託サービス 製品画像
半導体デバイスやそれを含む電子部品の信頼性として重要な、ESD破壊およびラッチアップによる破壊に対する耐性を評価する試験サービスを提供します。

■ 512ピンまでのICモジュール、電子部品、サブシステムなどの製品に対応します。
■ JEDEC、EIAJ、ESDAなどの規格に準拠した試験を提供します。
■ お客様のご要望や目的にあった試験をご提案、実施します。
■ 万一耐性に問題があった場合は、故障解析/原因究明から問題解決までのお手伝いをします。
In-Situ常時測定 信頼性評価試験サービス
In-Situ常時測定 信頼性評価試験サービス 製品画像
In-Situ常時測定 信頼性評価試験では、特性を測定しながら、ストレスを印加し信頼性評価試験を行います。

●正確な故障時間の把握が可能
 決まった時間にストレス環境より取り出して測定するリードアウト方式では、リードアウトのタイミングでしか故障の把握ができず、正確な故障発生時間を知ることはできません。
 In-Situ測定では、正確な故障時間の把握ができます。
●回復性故障の検出が可能
 回復性故障は市場において重大な問題を引き起こすことがあります。
 リードアウト方式ではこれら回復性故障の検出がほとんどの場合不可能ですが、In-Situ測定では回復性故障の検出が可能であり、正確な判断/判定ができます。
●試料へのストレス印加状態の監視が可能
 ストレス印加状況および測定データをリアルタイムで確認できます。
品質技術トータルソリューション
品質技術トータルソリューション 製品画像
電子部品の企画・設計・開発段階から、量産、出荷後に至るまで、あらゆるフェーズで発生する品質問題に、長く培われた技術と経験をもとにスピーディーで的確なソリューションを提供します。
LEDのトータルサポートサービス
LEDのトータルサポートサービス 製品画像
■LEDの信頼性試験
 ・光学特性評価 -紫外光域/可視光域 対応-
  LED製品の光学特性値は、製品の検査及び品質状態の把握に利用可能
 ・電気特性評価
  LEDの電気的な不良或いは劣化の状態を把握
 ・高温動作試験・高温高湿動作試験
  In-Situ常時測定装置の使用により、試験動作中の電圧モニターを実施可能
 ・信頼性試験
  LEDの使用環境を考慮した信頼性試験評価の実施
 ・点灯試験
  単体のLEDデバイスから1200mm蛍光灯管サイズまで試験可能
 ・非破壊検査
  X線によるLED内部構造の透過観察を実施
 ・ESD試験
  HBM(人体モデル)とMM(機械モデル)の2種類
■LEDの分析・解析
 ・LED不良モードの切り分け
  不具合部位を特定、最適な解析手法をご提案
 ・順方向、逆方向バイアスに対応した発光解析
  様々な手法にて、LEDのリーク箇所を検出
 ・LED素子の裏面研磨と裏面発光解析
  リーク箇所の断面観察より、リーク発生原因を解析
 ・橙色LEDの構造解析例
  断面SEM観察より、構造を解析
パワーデバイスのトータルソリューションサービス
パワーデバイスのトータルソリューションサービス 製品画像
■パワーデバイスの信頼性試験
・パワーサイクル試験
 定電流600A max.(Vce=10V)
 同時に熱抵抗測定も可能
・180℃対応 液槽熱衝撃試験
 温度範囲 -65℃~150℃、-40℃~180℃
 液媒体 Galden D02TS/D03
 試料かご(最大) W320xH240xD320(mm)
・パワーデバイスアナライザによる特性評価
 最大電圧 3000V、最大電流 20A
 小型の部品からパワーデバイスまで幅広く対応
・絶縁性評価イオンマイグレーション試験
 高温高湿環境下で、実使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施
 パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験
・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験
 高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター
 チャネル数 120チャネル
■パワーデバイスの分析・解析
・パワーチップの故障解析
・はんだ接合部の解析
・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察
・半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察
アイテス 装置一覧
アイテス 装置一覧 製品画像
■形態観察
 ・レーザー顕微鏡
 ・SAM/SAT
 ・X線透視装置
 ・SEM/FE-SEM
■電気特性測定
 ・カーブトレーサ
 ・パワーデバイスアナライザ
■不良解析・故障解析
 ・EMS/IR-OBIRCH
 ・EBIC
■試料加工
 ・FIB
 ・回転式研磨台
 ・イオンポリッシャー
 ・斜め切削装置
■信頼性評価試験
 ・液槽式/気槽式 冷熱衝撃試験装置
 ・恒温恒湿器/バイアス試験
 ・恒温槽
 ・HAST/PCT/PCBT
 ・In-Situ常時測定装置
■ESD/ラッチアップ試験
 ・ESDテスタ(HBM/MM/CDM/ラッチアップ)
■光学特性
 ・全光束・光強度測定システム
■物理解析
 ・SEM+EDX/EPMA
 ・FE-TEM+EDS/EELS
 ・STEM+EDS
■表面分析
 ・AES
 ・XPS
 ・μFT-IR
 ・AFM
■化学分析
 ・GC-MS(HS/熱分解)
 ・LC-MS
 ・顕微ラマン分光装置
【成分分析】GC-MS ガスクロマトグラフ質量分析計
【成分分析】GC-MS ガスクロマトグラフ質量分析計 製品画像
【分析対象物の例】
■オイル
・各種成分の定性
■プラスチックやフィルム、ゴム製品、基板等
・添加剤や残存溶剤等の定性分析(ヘッドスペース、又はパイロライザー)
・分解温度での発生ガス分析から、ポリマー種を推定(パイロライザー)
■液晶
・サンプル間での比較により、微量不純物を定性

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TOF-SIMSによる表面分析
TOF-SIMSによる表面分析 製品画像
・TOF-SIMSはパルス状の一次イオンを照射し
 励起放出されたイオンの飛行時間により質量分析を行います。
・質量の大きなイオンほど、検出器に到達する時間が長くなり
 質量の分離が出来ます。
パワーデバイスのHAST試験
パワーデバイスのHAST試験 製品画像
【仕様】
 試験電圧 :最大DC1000Vまで印加可能 (正極コモン・保護抵抗110kΩ)
 試験数量 :最大30個 (正極側)
 対応モジュール :TO-247、TO-220 等 (その他のパッケージは要相談:ソケット調達可)
 測定内容 :漏れ電流のモニタリング
 試験装置 :温度制御範囲 105.0℃~142.9℃ 湿度制御範囲 75%RH~100%RH
       圧力範囲 0.020~0.196MPa(ゲージ圧)

【試験条件例】
 JESD22-A110E 、  JEITA ED-4701-100A(試験方法302A) 等

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高温ラッチアップ試験
高温ラッチアップ試験 製品画像
【仕様】
■温度範囲:50℃~150℃
■加熱方式:温風による加熱
 (フィクスチャボード上のソケット・デバイス等を熱風発生器で加温)
■制御方法: デバイス付近にセンサーを設置し温度調節器で制御(温度センサ:Pt100)
 事前確認としてデバイス表面温度を測定し、ヒーターの出力値を調整
■試験装置: ESD/ラッチアップテスタ M7000A-512EL
■装置仕様: VCC電源搭載数4台(VCC1:100V/0.5A、VCC2~VCC4:50V/1A)
 電源過電圧印加法のVCC電圧+VTパルス電圧は、最大150Vまで設定可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ランプ加熱試験(赤外線照射試験)
ランプ加熱試験(赤外線照射試験) 製品画像
【温度制御範囲】
■雰囲気:20℃~100℃
■表面:30℃~125℃ ※材質、形状によって変化

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ESD(CDM)試験受託サービス
ESD(CDM)試験受託サービス 製品画像
【装置仕様】
■印加(充電)電圧:0~±4000V
■ステップ電圧:5V
■印加回数:1~99回
■ピン数:最大1024ピン
■印加ユニット:JEDEC、JEITA、EIAJ、AEC
■チャージ方法
 ・D-CDM(直接チャージ法):JEITA、EIAJ、AEC
 ・FI-CDM(電界誘導法):JEDEC、AEC

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ESD(HBM・MM)試験受託サービス
ESD(HBM・MM)試験受託サービス 製品画像
【装置概要/評価内容】
■HBM試験(C=100pF、R=1.5kΩ)±5V~±4000V(Step:5V)
■MM試験(C=200pF、R=0Ω)±5V~±2000V(Step:5V)
■単一/ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等の多様な印加条件に対応
■破壊判定方法:保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、VoL/VoH特性評価、
 電源ピンの特性評価の4種類に対応
■ソケットや専用の変換基板等の手配から試験用DUTボード作製から試験まで対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
液槽冷熱衝撃試験 LED通電
液槽冷熱衝撃試験 LED通電 製品画像
【試験例】
<試験条件>
■-40℃(5min)⇔+110℃(5min)
■LED4種×5個直列連続通電(定電流制御)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ハイパワー恒温恒湿槽での環境試験
ハイパワー恒温恒湿槽での環境試験 製品画像
【試験例】
■温度サイクル試験
 ・実環境に近いストレスを与えることが可能
 ・高い冷却能力を持っているため、発熱の多い試料でも温度の維持ができる
■温湿度サイクル試験(結露試験)
 ・温度サイクルに湿度も合わせて制御する、温湿度サイクル試験に対応可能
 ・試験内容に沿ってプログラムの設定を行う

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
冷熱衝撃試験
冷熱衝撃試験 製品画像
【冷熱衝撃試験規格の例】
■JESD 22-A104 TEMPERATURE CYCLING
■IEC 60749-25 Temperature cycle
■EIAJ ED-4701/100 method 105 Temperature cycle
■MIL STD-883 1010.8 TEMPERATURE CYCLING
■その他、様々な試験規格で規定

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液槽冷熱衝撃試験
液槽冷熱衝撃試験 製品画像
【装置の仕様】
■温度範囲
 ・低温側温度:-40℃~0℃
 ・高温側温度:60℃~180℃
 ・使用液体:Galden D03
■試料カゴサイズ
 ・内法:W190mm×H240mm×D360mm
 ・耐荷重:10Kg

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超音波顕微鏡『SAM』
超音波顕微鏡『SAM』 製品画像
【その他の仕様】
■最大測定範囲:314mm×314mm 最小ピッチ:0.5μm
■画像取得数(1スキャン):100枚(ゲート)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーデバイスの逆バイアス試験(最大2000V)
パワーデバイスの逆バイアス試験(最大2000V) 製品画像
【仕様・サービス内容】
■試験電圧:最大DC2000Vまで印加可能
■印加電流:最大14mA
■試験数量:最大8個(電源独立)
■対応モジュール:TO-247、TO-220 等(その他のパッケージは接続方法など要相談)
■測定内容:リーク電流のモニタリング
■温度範囲:最大200℃(高温高湿の場合85℃/85%)
加圧繰り返し試験
加圧繰り返し試験 製品画像
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