半導体製品の信頼性トータル・ソリューション製品カタログ | カタログ

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半導体製品の一連の工程のサンプル作製から信頼性評価試験、分析故障解析までトータルのソリューションを提供します。必要なサービスを必要なだけ、ご利用いただけます。

トータルソリューションとは、半導体製品に関わる部品・装置・材料の開発評価の困難（評価試料が準備できない／評価方法が不明、事前データが無い等）試料作製から、評価・解析まで御支援します。

【試料作製】
　●ウェハ工程
　　■汎用TEGの手配
　　■ダイシング
　　■チップソート
　　■外観検査
　　■梱包（チップトレイ・エンボステーピング）
　●パッケージング工程
　　■ダイボンディング
　　■ワイヤボンディング
　　■フリップチップ実装
　　■バンプ接合
　　■パッケージ組立

品質技術トータルソリューション

電子部品の企画・設計・開発段階から、量産、出荷後に至るまで、あらゆるフェーズで発生する品質問題に、長く培われた技術と経験をもとにスピーディーで的確なソリューションを提供します。

パワーデバイスの故障解析

・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨
　Siチップサイズ：200um～15mm

・IR-OBIRCH解析：　～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応
　　　　　　　　　感度：数十pA
　　　　　　　　　低倍最大視野：6.5mm角

・エミッション解析：　～2kV　まで対応
　　　　　　　　　　感度：数nA
　　　　　　　　　　低倍最大視野：6.5mm角

・特定位置精度：　±0.3um、試料厚1.5um～0.1um

・機械研磨SEM観察：　大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察

・拡散層観察：　TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能
　　　　　　　構造により前処理が必要な場合あり

・FIB-SEM観察：　クラック・形状異常・拡散層観察（～×50k）

・断面TEM観察：　ゲート酸化膜の破壊・転位（～400k）
　

TEMによる電子部品・材料の解析

■エミッション発光にて特定した故障部位は
　FIBにより薄片化しながら観察します。

■電子の透過力の大きい加速電圧400kVのTEMにて
　故障部位を試料厚内に閉じ込めた状態での透過観察とFIB加工を繰り返し
　最適な像を得ることができます。

■TEM像倍率をあらかじめ校正しておき
　2%以下の誤差で測長することもできます。

信頼性保証サービスのご紹介

■高度加速寿命試験
　内寸（最大）　Φ545×L550mm
　温湿度範囲　+105～162.2℃/75～100%RH

■冷熱衝撃試験
　内寸（最大）　W970×H460×D670mm
　温度範囲　-65℃～0℃/+60℃～200℃

■恒温恒湿試験
　内寸（最大）　W1000×H1000×D720mm
　温湿度範囲　-70℃～+150℃/20～98%RH

■液槽冷熱衝撃試験
　試料カゴ（最大）　W320×H240×D320mm
　耐荷重（最大）　10kg
　温度範囲　-65℃～0℃/+60℃～150℃

ESD（HBM・MM）試験受託サービス

■HBM試験（C=100pF、R=1.5kΩ）
　±5～±4500V（Step：5V）
■MM試験（C=200pF、R=0Ω）
　±5～±2000V（Step：5V）
■単一印加、ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等
　多様な印加条件に対応します。
■破壊判定方法は、保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、
　VoL/VoH特性評価、電源ピンの特性評価の4種類に対応します。
■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。

ESD（CDM）試験受託サービス

■印加電圧0Vから±4000Vまで、5Vステップ
■最大 1024ピンまで対応します。
■プローブ移動精度：0.1mm
■印加ユニット：JEDEC（JESD22-C101F）、JEITA、EIAJ、AEC
■チャージ法
　FI-CDM：電界誘導法（JEDEC・AEC）
　D-CDM：直接チャージ法（JEITA・EIAJ・AEC）

☆車載向け電子部品規格：AEC-Q100-011の試験サービスを開始
　AEC規格のField Induced CDM（FI-CDM）試験対応が可能です。
　AEC規格のDirect CDM(D-CDM)試験対応が可能です。

海外製部品・製品評価サービス

■信頼性試験
・温度サイクル試験
・冷熱衝撃試験
・高温高湿バイアス試験
・高温保存試験
・高度加速寿命試験
・プリコンディション
・ホットオイル試験
・In-situ常時測定
・イオンマイグレーション試験
・エレクトロマイグレーション試験

■評価試験
・接合強度試験
　プル/シェア試験
・機械的強度試験
　振動・衝撃試験、落下試験、圧縮強度・ズレ強度
・ESD/Latch Up/CDM試験
・はんだ濡れ性試験
・電気特性計測
・塩水噴霧試験
・X線透過観察
・SAT（超音波顕微鏡）観察

sMIMによる半導体拡散層の解析

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

パワーデバイスのHAST試験

【仕様】
　試験電圧：最大DC1000Vまで印加可能 (正極コモン･保護抵抗110kΩ)
　試験数量：最大30個 (正極側)
　対応モジュール：TO-247､TO-220 等 (その他のパッケージは要相談：ソケット調達可)
　測定内容：漏れ電流のモニタリング
　試験装置：温度制御範囲 105.0℃～142.9℃ 湿度制御範囲 75%RH～100%RH
　　　　　　圧力範囲 0.020～0.196MPa（ゲージ圧）

【試験条件例】
　JESD22-A110E　､　 JEITA ED-4701-100A(試験方法302A)　等

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

クロスビームFIBによる断面観察

半導体デバイス、MEMS、TFTトランジスタなど
ナノスケールで製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を
クロスビームFIBによる断面観察で行います。

１）FIB加工をリアルタイムで観察できるため目的の箇所を確実に捉えます。
２）2つの二次電子検出器（In-Lens/チャンバーSE）により試料から様々な情報が得られます。
３）加工用FIBと観察用低加速SEMを1つのチャンバーに集約し大気に曝すことなく観察。
４）拡散層：PN界面の可視化が可能。N+/N-及びP+/P-の濃度差は検出不可。

高温ラッチアップ試験

【仕様】
■温度範囲：50℃～150℃
■加熱方式：温風による加熱
　（フィクスチャボード上のソケット･デバイス等を熱風発生器で加温）
■制御方法：デバイス付近にセンサーを設置し温度調節器で制御（温度センサ：Pt100）
　事前確認としてデバイス表面温度を測定し、ヒーターの出力値を調整
■試験装置： ESD／ラッチアップテスタ M7000A-512EL
■装置仕様： VCC電源搭載数4台（VCC1：100V／0.5A、VCC2～VCC4：50V／1A）
　電源過電圧印加法のVCC電圧＋VTパルス電圧は、最大150Vまで設定可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

メルトフローレイト（MFR）測定評価サービス

【装置仕様】
■温度範囲：100-350℃（精度±0.2℃）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

真贋調査（比較観察）

【調査方法】
■外観観察
■X線観察
■電気的測定
■開封観察
■信頼性試験
■材料調査

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ESD(CDM)試験受託サービス

【装置仕様】
■印加(充電)電圧：0～±4000V
■ステップ電圧：5V
■印加回数：1～99回
■ピン数：最大1024ピン
■印加ユニット：JEDEC、JEITA、EIAJ、AEC
■チャージ方法
　・D-CDM(直接チャージ法)：JEITA、EIAJ、AEC
　・FI-CDM(電界誘導法)：JEDEC、AEC

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ESD(HBM・MM)試験受託サービス

【装置概要/評価内容】
■HBM試験(C=100pF、R=1.5kΩ)±5V～±4000V(Step：5V)
■MM試験(C=200pF、R=0Ω)±5V～±2000V(Step：5V)
■単一/ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等の多様な印加条件に対応
■破壊判定方法：保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、VoL/VoH特性評価、
　電源ピンの特性評価の4種類に対応
■ソケットや専用の変換基板等の手配から試験用DUTボード作製から試験まで対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ハイパワー恒温恒湿槽での環境試験

【試験例】
■温度サイクル試験
　・実環境に近いストレスを与えることが可能
　・高い冷却能力を持っているため、発熱の多い試料でも温度の維持ができる
■温湿度サイクル試験（結露試験）
　・温度サイクルに湿度も合わせて制御する、温湿度サイクル試験に対応可能
　・試験内容に沿ってプログラムの設定を行う

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

超音波顕微鏡『SAM』

【その他の仕様】
■最大測定範囲：314mm×314mm　最小ピッチ：0.5μm
■画像取得数(1スキャン)：100枚(ゲート)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

冷熱衝撃試験

【冷熱衝撃試験規格の例】
■JESD 22-A104 TEMPERATURE CYCLING
■IEC 60749-25 Temperature cycle
■EIAJ ED-4701/100 method 105 Temperature cycle
■MIL STD-883 1010.8 TEMPERATURE CYCLING
■その他、様々な試験規格で規定

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

液槽冷熱衝撃試験

【装置の仕様】
■温度範囲
　・低温側温度：-40℃～0℃
　・高温側温度：60℃～180℃
　・使用液体：Galden D03
■試料カゴサイズ
　・内法：W190mm×H240mm×D360mm
　・耐荷重：10Kg

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

パワーデバイスの逆バイアス試験（最大2000V）

【仕様・サービス内容】
■試験電圧：最大DC2000Vまで印加可能
■印加電流：最大14mA
■試験数量：最大8個（電源独立）
■対応モジュール：TO-247､TO-220 等（その他のパッケージは接続方法など要相談）
■測定内容：リーク電流のモニタリング
■温度範囲：最大200℃（高温高湿の場合85℃/85％）

COG実装の導電粒⼦形状観察

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ディスクリート半導体のIOL試験

※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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