EBSD(電子線後方散乱回折)法は、電子線照射により得られた反射電子回折
パターンから個々の結晶の方位情報を取得しマップ化したもので、さらに
定量的、統計的なデータとして結晶方位(配向性)のみならず結晶粒分布や
応力ひずみ等の材料組織状態を調べる手法です。
例えば、SEM中で試料を大きく傾斜し電子線を照射したとき、試料が結晶性
の物であれば、試料内で電子線回折が生じます。そのパターンを指数付け
することでその点の結晶方位を求めることが可能となります。
結晶方位差を観察することで、結晶粒内の残留応力を推測することができます。
【特長】
■個々の結晶の方位情報を取得しマップ化
■結晶方位、結晶粒分布や応力ひずみ等の材料組織状態を調べる
■結晶方位差を観察することで、結晶粒内の残留応力を推測可能
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基本情報
【金ワイヤーボンド接合部 解析例】
■逆極点図方位マップ(Inverse Pole Figure:IPFマップ)
■逆極点図を基にした結晶方位マップ
■Grain Reference Orientation Deviation:GRODマップ
■結晶粒内での結晶方位差によるマップ
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