![【分析事例】GaN基板の表面形状分析 製品画像](https://images.ipros.jp/public/product/image/cce/2001183298/IPROS92166202777756485461.jpeg?w=140&h=140)
詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
カタログ発行日:2024/04/25 FMによるステップ-テラス構造の可視化 ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる応力の影響で、表面にステップ-テラス構造が形成されます。本資料ではAFMを用いて、GaN基板表面のステップ-テラスの構造を可視化し、テラス幅、ステップ高さ、表面粗さ、オフ角を評価した事例を紹介します。
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
一般財団法人材料科学技術振興財団 MST