一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析

最終更新日: 2017-08-11 15:25:56.0
薄膜の表面吸着ガス、膜中からの脱離ガスを評価可能

Si基板上SiN膜に関するTDS分析結果を示します。
100℃近傍までの低温域では脱ガスが少なく、試料の表面に吸着成分が少なかったことが分かります。
一方、試料の温度が上昇するに従い、m/z 2(H2)、m/z 18(H2O)、m/z 27(C2H3:有機物のフラグメント成分)が脱離しているのが分かります。高真空下(1E-7Pa)で分析を行うTDSは膜表面の吸着ガス成分や膜中の微量ガス成分の評価に有効です。

基本情報

詳しいデータはカタログをご覧ください

価格情報 -
納期 お問い合わせください
用途/実績例 LSI・メモリの分析です

お問い合わせ

下記のフォームにお問い合わせ内容をご記入ください。
※お問い合わせには会員登録が必要です。

至急度  必須
ご要望  必須
目的  必須
添付資料
お問い合わせ内容 
【ご利用上の注意】
お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。
はじめてイプロスをご利用の方 はじめてイプロスをご利用の方 すでに会員の方はこちら
イプロス会員(無料)になると、情報掲載の企業に直接お問い合わせすることができます。
メールアドレス

※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。

一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】LSI・メモリの製品・サービス一覧(660件)を見る