一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析

最終更新日: 2017-08-11 15:25:56.0
薄膜の表面吸着ガス、膜中からの脱離ガスを評価可能

Si基板上SiN膜に関するTDS分析結果を示します。
100℃近傍までの低温域では脱ガスが少なく、試料の表面に吸着成分が少なかったことが分かります。
一方、試料の温度が上昇するに従い、m/z 2(H2)、m/z 18(H2O)、m/z 27(C2H3:有機物のフラグメント成分)が脱離しているのが分かります。高真空下(1E-7Pa)で分析を行うTDSは膜表面の吸着ガス成分や膜中の微量ガス成分の評価に有効です。

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