一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

最終更新日: 2023-04-10 14:19:38.0
Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性(Ga極性とN極性)が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。
本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、視覚的にGa極性、N極性の様子を明らかにすることができました。
測定法:TEM
製品分野:パワーデバイス・光デバイス
分析目的:形状評価・構造評価・膜厚評価

詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

基本情報

詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

価格情報 -
納期 お問い合わせください
用途/実績例 パワーデバイス・光デバイスの分析です

お問い合わせ

下記のフォームにお問い合わせ内容をご記入ください。
※お問い合わせには会員登録が必要です。

至急度  必須
ご要望  必須
目的  必須
添付資料
お問い合わせ内容 
【ご利用上の注意】
お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。
はじめてイプロスをご利用の方 はじめてイプロスをご利用の方 すでに会員の方はこちら
イプロス会員(無料)になると、情報掲載の企業に直接お問い合わせすることができます。
メールアドレス

※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。

一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】光デバイスの製品・サービス一覧(660件)を見る