2024-10-15 00:00:00.0

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）

高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）

Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機

◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式（多段5枚カセット） ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット：Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト：Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気： ・真空（1x10-2Pa）、不活性ガス（Ar, N2） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転（オプション） ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力

最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉

◉最高使用温度 Max2000℃ ◉カスタマイズ自在なヒーター構造： - 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） - 面状ヒーター：Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◉PLCセミオートコントロール タッチパネル画面で温度調節計以外の全ての操作を行います。 煩わしいバルブ開閉・ポンプ起動操作が不要、焼成作業前の「真空/パージ」サイクルと焼成作業後の「ベント」を1ボタンで自動シーケンスで行います。 ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃！ 還元雰囲気用メタル炉も製作致します。

◉ 卓上サイズ 省スペース：328(W) x 220(D) x 250(H)mm（*2inch用チャンバー参考値） ◉ カスタマイズ自在なヒーター構造： - 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） - 面状ヒーター：Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◉ 昇温時間最速約15分（1500℃）、降温1500℃→100℃まで約40分（真空、およびガス置換雰囲気） ◉ ハイスペック&ハイコストパフォーマンス ◉ シンプルな構成、優れた操作性 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。

【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置

◉ グラフェン, カーボンナノチューブ ◉ ZnOナノワイヤ ◉ SiO2等の絶縁膜など その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに対応

◉ 短時間 1バッチわずか30分で容易にグラフェン合成実験が可能 ◉ 高精度温度・圧力制御 ◉ 洗練されたソフトウエア

◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温：1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度制御：±1℃ ◉ 高精度APC自動圧力制御システム：ガス3系統（Ar, H2, CH4） ◉ グラフェン作成用標準レシピ付属 ◉ コンパクトサイズ：405(W) x 415(D) x 280(H)mm

＜30W ローパワー・エッチング制御精度10mW ダメージレス・繊細なエッチング処理を実現

【nanoETCH（ナノエッチ）】Model. ETCH5A ＜30W（制御精度10mA）低出力RFエッチングによる、精細でダメージレスなエッチング処理を実現。 2010年グラフェン発見でノーベル賞受賞者率いる マンチェスター大学グラフェン研究グループとの共同開発製品。

PVD、CVDなどの薄膜実験用基板加熱ヒーター均一性・昇温特性・制御性に優れたヒーターです。RF/DCバイアス仕様も可能。

高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、CVDなどの各種真空薄膜実験、高温真空アニール、高温試料解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ●セミカスタム製品です。ご要望に応じて設計製作いたします。 ●予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） ●RF/DCバイアス、基板回転などにも対応 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● RF（150W）/DC（1KW）バイアス印加 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子

CVD, PVD（蒸着, スパッタ等）均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター

ヒータープレートにインコネルもしくはBNプレートを採用した、熱放射効率が良く、均熱性に優れた成膜装置・真空薄膜実験用高真空対応ホットプレートです。 【ラインナップ】 ◎ SH-IN（インコネルプレート）：φ1.0〜φ6.1inch 真空・O2・活性ガス用 ◎ SH-BN（BNプレート, Moカバー）：φ2.1〜φ6.1inch 真空・不活性ガス用 【特徴】 ◎ 最高温度1100℃（SH-BN）, 850℃（SH-IN） ◎ 短時間昇温 ◎ 面内温度分布 ±2%以内 ◎ 制御精度・再現性±1℃ ◎ 低価格 ◎ 短納期（標準約2週間 *フランジ付き, 回転・上下機構, 取付ブラケット付きなどは除く）

超高温基板加熱ステージに、基板昇降・回転、RF/DC基板バイアスの全てが1台で可能! 'All-In-One'コンポーネント

半導体、電子基板、真空薄膜プロセス装置・研究開発用【超高温基板加熱機構】 対応基板サイズ：Φ2〜6inch 真空（UHV対応可能）・不活性ガス・O2・各種プロセス反応性ガス雰囲気等でご仕様いただけます。（詳細別途協議）

真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット）

ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。

真空用 高温るつぼ加熱ヒーター。有機蒸着源 800℃、金属蒸着源 1500℃、としても利用できるバーサタイルなヒーターユニット

HTEヒーターは最高使用温度は1500℃の超高温真空用加熱ヒーターユニットです。 蒸発温度の高い材料も使用することができますので、有機EL等の低温有機蒸着（～ 800℃）・高温抵抗加熱蒸着（～ 1500℃）など、真空蒸着成膜用としても様々な用途に応用いただけます。真空成膜用蒸着ソースとしてお使いの場合はシャッター・アクチュエータも追加可能。 800℃以上の高温ヒーターとしてお使いの場合は、内部シールド構造を備え、断熱・熱遮蔽を考慮した設計。 シャッターはフリップ式を採用。チャンバー内に複数の蒸着ソースを設置しても他のコンポーネントに干渉することがありません。 上部キャップを外すだけで坩堝を取り出すことができますので、材料の充填・補充作業に手間がかかりません。 本体部は、1cc 坩堝用（最大充填量1.5cc）、10cc 坩堝用（最大充填量15cc）があり、固定ベースをチャンバーから外さず本体ボディをベースに差し替えるだけで交換することが可能。 熱電対は2 種類、K タイプ、C タイプのいずれかをご指定いただけます。 るつぼ：アルミナ（標準）、石英、PBN、カーボンが選択できます。

半導体・電子デバイス・燃料電池・ディスプレイなどの研究開発用各種実験装置、薄膜実験装置を紹介。

研究開発分野向け、各種薄膜実験装置・コンポーネントを紹介します。 【nano Benchtopシリーズ】 ハイパフォーマンス！nano Benchtopシリーズ薄膜実験装置 コンパクトサイズに、高機能・ハイスペックな薄膜装置を収納 【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置】 多彩な装置構成、必要なコンポーネントを要求仕様に合わせて組み合わせ構成する「フレキシブル実験装置」

真空蒸着（金属・有機蒸着源）、スパッタリングカソードの混在設置が可能な「複合型」薄膜実験装置 nanoPVD-ST15A

nanoPVD-ST15Aは、抵抗加熱蒸着源、有機蒸着源、Φ2inchマグネトロンスパッタリングカソードを同時に設置可能な複合型薄膜実験装置。ベンチトップサイズ・省スペース、限られたラボスペースを有効活用いただけます。 顕微鏡用試料作成用コーターではありません、電子回路基板、電池、MEMS、新素材開発などの研究開発用途で求められる高品質な薄膜を作成することができます。 ガス系統最大3系統（プロセス圧力APC自動制御）、連続自動製膜（最大20層）、2源同時成膜など豊富な機能を備え、更に基板加熱ヒーター（500℃）、ドライスクロールポンプなど豊富なオプションも用意。 真空引き・成膜制御・ベント、レシピ作成、更に故障解析、ログ等全て前面の7"タッチパネルで操作、操作の一元管理が可能です。 IntelliLinkソフトウエア付属：Windows PCとUSBケーブルで接続しリモート監視、オフラインレシピ作成・ダウン＆アップロード、ログ保存 新素材・新材料開発、及び半導体・電子部品・燃料電池・大陽電池などの先端基礎技術開発部門でのさまざまなアプリケーションに対応致します。

コンパクト・省スペース・省エネルギー！ 高性能 R&D用超高温実験炉

Max2900℃(カーボン炉）、Max2400℃（メタル炉） ・有効加熱エリア 70 x 70 x1 00mm 新素材・新材料開発、及び半導体・電子部品・燃料電池・大陽電池などの先端基礎技術開発部門でのさまざまなアプリケーションに対応。

ローコスト 必要最小構成（手動制御）管状炉・拡散炉・熱CVDとして応用可能

小片試料〜3inch waferまでの小基板用 サセプタ手動昇降式縦型実験炉 大学・企業研究室での基礎実験用に最適な基礎実験用ローコスト版縦型炉 【用途】 ◉ 半導体・太陽電池・燃料電池・電子基板等の熱処理 ◉ 基礎実験：縦型管状炉・酸化拡散炉・LPCVD等の簡易熱処理実験

テルモセラ・ジャパン研究開発用実験炉を紹介。燃料電池・セラミックス等の材料開発・黒鉛・等の超高温実験に活用頂けます。

研究開発分野向け、各種実験装置を紹介します。 ◉ Mini-BENCH 超高温卓上型実験炉 Max2000℃ ◉ Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃ ◉ MiniLab-WCF 超高温ウエハー焼成炉 Max2000℃ その他、特注で研究開発用高温炉を設計製作致します。 他

不純物なく金属・絶縁物等を堆積するRF, DC, パルスDC対応高効率マグネトロンスパッタカソード。メンテナンス性にも優れます。

【特徴】 ・高真空対応 ・Φ2inch、Φ3inch、Φ4inchサイズ ・クランプリング式を採用、ボンディングが不要 ・メンテナンス性に優れ、容易にターゲットの交換が可能 ・シャッター、チムニーポート、ガスインジェクション、磁性材用高強度マグネット、などのオプションが豊富 ・各種フランジサイズ接続に対応

有機蒸着源〜800℃、金属蒸着源〜1500℃、真空用 高温加熱セルとしても使用できる高性能真空蒸着ソースです。

OLED蒸発源は最高使用温度1500℃の真空蒸着用 高温蒸着ソースです。 固定ベースを外さずにボディを差し替えるだけで、有機EL等の低温有機蒸着（～ 800℃）用セルと高温加熱（～ 1500℃）セルを交換することができます。 真空成膜用ソースとしてお使いの場合はシャッター・アクチュエータも用意。 800℃以上の高温ヒーターとしてお使いの場合は、内部シールド構造を備え、断熱・熱遮蔽を考慮した設計。 シャッターはフリップ式を採用 チャンバー内に複数のOLEDソースを設置しても他のコンポーネントに干渉することがありません。 上部キャップを外すだけで坩堝を取り出すことができますので、材料の充填・補充作業に手間がかかりません。 本体部は、1cc 坩堝用（最大充填量1.5cc）、10cc 坩堝用（最大充填量15cc）があり、固定ベースをチャンバーから外さず本体ボディをベースに差し替えるだけで交換可能。 熱電対はK、Cのいずれもご指定いただけます。 るつぼ：アルミナ（標準）、石英、PBN、カーボンが選択できます。

高機能 コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置

高機能 ハイパフォーマンス RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 ● 到達圧力5 x 10-5Pa（*1x10-4Paまで最速30分！） ● スパッタカソード x 3：自動連続多層膜, 2源同時成膜 ● 膜均一性±3% ● 多彩なオプション：基板回転・昇降、基板加熱（Max500℃）、磁性材用カソード、他 ◉ nanoPVDは、最大スパッタ3源+3系統（MFC制御）、RF/DC PSUの増設（最大2電源まで）連続多層膜・2源同時成膜（RF/DC、又はDC/DCのみ）、など多目的にお使い頂くことができます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ 2"カソード x 最大3源 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力コントロール ◉ MFC搭載高精度プロセス制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意

限られたラボスペースを有効活用できる小型ベンチトップサイズ装置に、最新の真空蒸着技術の全てを収納しました。

OLED, OPV, OTFT等の有機材料用・温度応答性/安定性に優れた高性能有機ソースLTE（最大4源）、交換・メンテナンスが容易に行える金属蒸着ソースTE（最大2源）を採用、手動運転モードから、自動連続多層膜、同時成膜の自動モードでの運転も可能です。 コンパクトサイズにも関わらず、基本性能・膜質・均一性・操作性の全てを犠牲にせず、スタンドアローン大型機と同様の性能を実現しました。 更に簡単タッチパネル操作でPLC全自動制御。 難しい操作手順を必要とせずどなたでも直感的に操作ができる分かりやすいHMI。 リモートソフトウエア「IntelliLink（インテリリンク）」付属：USBケーブルでWindows PCに接続し、装置運転状況モニター、ログ保存、オンライン/オフラインレシピ作成保存、故障解析などが可能です。 限られた開発現場・ラボスペースを最大限有効活用ができる省スペース設計・メンテナンス性にも優れたコンパクトサイズ真空蒸着装置です。

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能です。

モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。

【フレキシブルシステム】 MiniLab薄膜実験装置シリーズは、豊富なオプションから必要な成膜方法・材料に応じて都度、ご要望に適したコンポーネント（成膜ソース、ステージなど）、制御モジュールを組み込み、カスタマイズ品でありながら無駄の無いコンパクトな装置構成を容易に構築することができます。モジュラー式制御ユニットをPlug&Play 感覚で装置を構成することにより応用範囲が広がり、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 MiniLabシリーズは、研究開発から小規模生産用途まで幅広く対応するハイコストパフォーマンスシステムです。 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（MiniLab-026）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（MiniLab-060）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（MiniLab-125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成

必要最小限のモジュール・コントローラをPlug&Play感覚で19"コンパクトラックに組込む事により無駄が無く、小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ（最大3源）もしくは抵抗加熱蒸着（金属源 最大4、有機材料x4）に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、プラズマエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます（*要仕様協議）。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ 最大基板サイズ：Φ6inch ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式（最大4源） ◉ 有機蒸着ソース：1cc or 5cc ◉ Φ2inchマグネトロンカソード（最大3源） ◉ ドライエッチング ◉ グローブボックス搭載可能（オプション 要仕様協議） ◉ その他オプション： 2源同時成膜、HiPIMS、自動薄膜コントローラ、特注基板ホルダ、基板回転/昇降、基板加熱などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。

蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置

コンパクト/省スペース、ハイスペック薄膜実験装置 下記蒸着源から組合せが可能 ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4 ・有機蒸着源 x 最大4 ・電子ビーム蒸着 ・2inchマグネトロンスパッタリングカソード x 4 ・プラズマエッチング：メインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれでも設置可能 【スモールフットプリント・省スペース】 ・デュアルラックタイプ（MiniLab-060）：1200(W) x 590(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、060と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-060の上位機種。060同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着（金属/絶縁物/有機材料）,EB蒸着, RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ, RIEプラズマエッチング, アニールなどの幅広い目的に対応。 ・最大基板サイズ：Φ10inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4源 ・有機蒸着源 x 最大4源 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4源 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ（標準500℃, Max1000℃） ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能

グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

80ℓ大容積MiniLab-080チャンバーをグローブボックスベンチ内に収納可能な構造にしたMiniLab-080のグローブボックスモデル。作業ベンチを最大限活用できるスライド開閉式チャンバー、メンテナンス性を考慮した背面開閉ドアを採用。プロセス処理後の試料を大気・水分に露出せずグローブボックス内の管理された環境内で一貫した処理ができます。GB, ガス精製機はGBモデルの仕様を参照下さい。 ・最大基板サイズ：Φ10inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4源 ・有機蒸着源 x 最大4源 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4源 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ（標準500℃, Max1000℃） ・プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング

小型・省スペース! 有機薄膜開発に好適 蒸着・スパッタ・アニール等全ての作業をグローブボックス内でシームレスに行う事ができます。

OLED（有機EL）, OPV（有機薄膜太陽電池）, OTFT（有機薄膜太陽電池）, 又, グラフェン, TMD（遷移金属ダイカルコゲナイド）などの2D材料における成膜プロセスでは、酸素・水分から隔離された不活性ガス雰囲気で試料を取扱う必要があります。 MiniLab-026/090-GBでは、PVDチャンバーをGB内に収納することにより有機膜用途の「酸素・水分フリー」実験環境をコンパクトな省スペース環境で実現します。 【特徴】 ◉ PVD成膜、スピンコート塗布・ホットプレートベーキングなど一連の作業を外気に晒すことなく、GB内でシームレスに行うことができます。 ◉ 省スペース：背面にチャンバーがせり出しませんので、スペースを取りません。 【MiniLab対象】 ◉ MiniLab-026（26ℓ容積）：金属/絶縁物/有機材料蒸着、スパッタリング、プラズマエッチング、アニール ◉ MiniLab-090（90ℓ容積）：金属/絶縁物/有機材料蒸着、EB蒸着、スパッタリング、プラズマエッチング、アニール ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6, 8inch用）

連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF, DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） -3) Max1000℃（SICコーティング） ロードロック内逆スパッタステージ -1) 300W、又は -2) Soft-Etching(＜30W） システム主制御：'IntelliDep'制御システム Windows PC（又はTP HMI）インターフェイス 全ての操作を一箇所のHMI画面で一元管理

Φ3inch、Φ4inch ウエハーサイズ対応プラズマCVD 装置。不純物を抑制し清浄・高品質なグラフェンを高速合成。

Φ3inch、Φ4inch ウエハーサイズ対応プラズマCVD 装置。不純物を抑制し清浄・高品質なグラフェンを高速合成。 熱CVD、低温～高温プラズマCVD いずれの方法でも利用可能。マスフローガス供給系統、基板加熱ヒーターなどご要望により構成をカスタマイズ致します。

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能です。

コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置

Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF500W or DC850W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x 800(D) ●プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれへも設置可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置

Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF500W or DC850W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング プラズマエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などの混在仕様も構成可能です。

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6, 8inch用）

連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF, DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） -3) Max1000℃（SICコーティング） ロードロック内逆スパッタステージ -1) 300W、又は -2) Soft-Etching(＜30W） システム主制御：'IntelliDep'制御システム Windows PC（又はTP HMI）インターフェイス 全ての操作を一箇所のHMI画面で一元管理

スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置

抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） ・蒸着範囲：Φ4inch/Φ100mm ・真空排気系：ターボ分子ポンプ + 補助ポンプ（ロータリー、又はドライスクロールポンプ） ・基板回転、上下昇降ステージ ・Max500℃基板加熱ヒーター ・水晶振動子膜厚センサー ・7”タッチパネルHMI操作（’IntelliLink’ WindowsPCリモート監視ソフト付属）

USB接続式小型赤外線温度センサー 電源不要 PCからUSBバスパワーで給電 付属の専用ソフトでパラメータ設定・データ管理

【概要】 標準付属の「Calexsoft」をインストール、あとはUSBケーブルでWindowsPCに接続するだけ。Plug&Play感覚で簡単にPC上でセンサの測定パラメータ設定、測定、測定結果の解析・CSV出力ができます。 USB出力 PCに接続しUSBバスパワーのみで動作。電源を必要としません。 さまざまな工業分野・研究機関実験ラボでの活用など、応用範囲が広がります。 【特徴】 ◎ USBデータロギング ◎ ワイドレンジ：-20℃〜+1000℃ ◎ 優れた基本性能：精度±1%, 再現性±0.5%、125msec高速応答 ◎ 放射率調整範囲：0.2〜1.0 ◎ 測定波長領域8〜14μm ◎ 小型Φ18mm x 45mm

USB接続式、付属の専用ソフトでパラメータ設定・データ管理 幅広い波長領域オプションを用意。目的により3機種が選べます。

【概要】 標準付属の「CalexConfig」とUSBケーブル（1.8m付属）でWindowsPCに接続、PC上でセンサの測定パラメータ設定、測定結果の解析・CSV出力ができます。 1) 4-20mA出力 2) USB出力（USBバスパワーで動作） 3) 4-20mA/USB出力の同時使用 の3通りの使い方が可能です。 【特徴】 ◎ USBデータロギング/4-20mAアナログ出力の同時使用可能 ◎ 優れた基本性能：精度±1%, 再現性±0.5%、200msec高速応答 ◉ PUA2：短波長2.0〜2.4μmもカバー、金属表面も測定可能 ◉ PUA5：ガラス表面測定用に好適 波長5μm ◉ PUA8：一般用途 紙・木・プラスチック・繊維など幅広い用途に 波長8-14um

小型計量・堅牢ボディ・高精度±1%・240msec高速応答 産業用機械制御用、生産現場の温度監視など多目的に応用できます。

【概要】 英国カレックス・エレクトロニクス社製「PyroCouple（パイロ・カップル）」は、従来に無い小型軽量、低価格、高性能な赤外線温度センサーです。 「動く」「回転する」「触れる事ができない」測定対象物表面を非接触で測定し、高速・高再現性で温度制御ができます。 【特徴】 ◎ アンプ・センサ一体型 ◎ 4-20mA出力（標準）、0-50mV、熱電対K, J, T出力（オプション） ◎ 精度：±1% or ±1℃（いずれか大きい値） ◎ 再現性：±0.5% or ±0.5℃（いずれか大きい値） ◎ 応答速度：240msec ◎ 保護等級：IP65

高機能タッチパネル変換器で簡単設定・データロギング・microSDカードにデータ保存 PM2.2は光沢金属表面の測定も可能

【概要】 視認性の良い高輝度タッチパネルディスプレーで、温度レンジ・放射率・サンプリングレート等のパラメータを直感的に操作・設定。 microSDカードで長期間のデータ保存・管理が可能です。 （*オプションでディスプレー無しの変換器もあります） φ18mm x 45mmの小型センサヘッドで、狭い場所での温度測定も可能、耐ノイズ性に優れたセンサ・ケーブルを採用しておりますので、ロボットアームなどの動く機器への組込みにも適します。 PM2.2モデルは、短波長2.2um波長を採用、高温（Max2000℃）、光沢性のある金属材料表面の測定などにも対応します。 【特徴】 ◎ ワイドレンジ：-20〜1000℃（PM）, 100〜2000℃（PM2.2） ◎ 優れた基本性能：精度±1%, 再現性±0.5%、240msec高速応答 ◎ 測定波長領域：8〜14μm（PM）, 2.0〜2.2μm（PM2.2） ◎ 小型Φ18mm x 45mm

温度範囲・放射率・アラーム等のパラメータをスマートホン、タブレットで設定 表示計器、計器用電源を必要とせず簡単に設定できます。

● スマホ・タブレットを使い設定を行う事ができます。 ● 専用アプリをGoogle Playから無料ダウンロード（Android4.1〜5.1） ● AndroidのNFC通信を使い、センサ部にタッチするだけで読込み・書出しをします。 ● 超小型センサ（Φ31mm x t29mm）狭い場所でも温度測定が可能。 ● 高速応答125msec、高精度±1.5% ● 電圧出力（0-5V or 0-10V）、又はK熱電対出力

TIIS（産業安全技術協会）検定取得 本質安全防爆型放射温度センサー 危険場所（Zone0, 1, & 2）で使用可能

ExTempは、石油化学プラント・医薬品工場・薬品工場などの危険物取扱設備や工場で使用することができる本質安全防爆構造の放射温度センサーです。 （TIIS型式検定合格番号：第21097号）