最終更新日:
2019-11-07 14:17:13.0
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の
パワーデバイスに対し最適な前処理を行い
裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。
■解析の前処理－裏面研磨－
各種サンプル形態に対応します。
Siチップサイズ：200um～15mm角
■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－
IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応
エミッション解析：～2kV まで対応
＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応
■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－
予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し
リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
基本情報
・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨
Siチップサイズ：200um～15mm
・IR-OBIRCH解析： ～100mA/10V ～100uA/25V まで対応
感度：数十pA
低倍最大視野：6.5mm角
・エミッション解析： ～2kV まで対応
感度：数nA
低倍最大視野：6.5mm角
・特定位置精度： ±0.3um、試料厚1.5um～0.1um
・機械研磨SEM観察： 大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察
・拡散層観察： TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能
構造により前処理が必要な場合あり
・FIB-SEM観察： クラック・形状異常・拡散層観察（～×50k）
・断面TEM観察： ゲート酸化膜の破壊・転位（～400k）
| 価格情報 | 内容により御見積致します。 |
|---|---|
| 納期 |
お問い合わせください
※ 内容により異なります（特急対応あり） |
| 用途／実績例 | ・ボンディング起因の不良 異物のアタック、応力によるクラック ・ICプロセス起因の不良 各層パターンニング、ソースAl不良、異物混入、ゲート酸化膜破壊、転位 ・FIB-SEMによる拡散層観察 |
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