【その他特長】
<DCバイアスストレス試験>
■Gate、Drainに任意のDCバイアスを印加し、TFTにストレスを与えたときの
Vthシフトを測定し、信頼性確認を行う
■加速試験として、加温状態でも測定できる
■複数のパネルメーカにて測定を行い、Vthシフト量を比較することで、優位判定も可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
<DCバイアスストレス試験>
■Gate、Drainに任意のDCバイアスを印加し、TFTにストレスを与えたときの
Vthシフトを測定し、信頼性確認を行う
■加速試験として、加温状態でも測定できる
■複数のパネルメーカにて測定を行い、Vthシフト量を比較することで、優位判定も可能
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