当社では、液晶パネルにおいて特定のTFTに対し、性能確認のための
良品特性測定、不良特性測定や信頼性評価をすることが出来ます。
「TFTの各温度での電気特性測定」では、表示状態のモニターを解体し、
パネル内の画素TFTに対して、電気特性測定が可能。
「DCバイアスストレス試験」では、Gate,Drainに任意のDCバイアスを印加し
TFTにストレスを与えたときのVthシフトを測定し、信頼性確認を行います。
【特長】
<TFTの各温度での電気特性測定>
■パネル内の画素TFTに対して電気特性測定が可能
■アニール前後、光照射、加温や冷却下で測定できる
■測定結果からIon、Ioff、Vth、移動度の指標を算出
■良品解析での実力値の確認や不良原因の解明を行う
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【その他特長】
<DCバイアスストレス試験>
■Gate、Drainに任意のDCバイアスを印加し、TFTにストレスを与えたときの
Vthシフトを測定し、信頼性確認を行う
■加速試験として、加温状態でも測定できる
■複数のパネルメーカにて測定を行い、Vthシフト量を比較することで、優位判定も可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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用途/実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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株式会社アイテス