【装置概要/評価内容】
■HBM試験(C=100pF、R=1.5kΩ)±5V~±4000V(Step:5V)
■MM試験(C=200pF、R=0Ω)±5V~±2000V(Step:5V)
■単一/ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等の多様な印加条件に対応
■破壊判定方法:保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、VoL/VoH特性評価、
電源ピンの特性評価の4種類に対応
■ソケットや専用の変換基板等の手配から試験用DUTボード作製から試験まで対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
■HBM試験(C=100pF、R=1.5kΩ)±5V~±4000V(Step:5V)
■MM試験(C=200pF、R=0Ω)±5V~±2000V(Step:5V)
■単一/ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等の多様な印加条件に対応
■破壊判定方法:保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、VoL/VoH特性評価、
電源ピンの特性評価の4種類に対応
■ソケットや専用の変換基板等の手配から試験用DUTボード作製から試験まで対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。