【その他の仕様】
■最大測定範囲：314mm×314mm 最小ピッチ：0.5μm
■画像取得数(1スキャン)：100枚(ゲート)
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
■最大測定範囲：314mm×314mm 最小ピッチ：0.5μm
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関連情報
半導体製品の一連の工程のサンプル作製から信頼性評価試験、分析故障解析までトータルのソリューションを提供します。必要なサービスを必要なだけ、ご利用いただけます。
トータルソリューションとは、半導体製品に関わる部品・装置・材料の開発評価の困難（評価試料が準備できない／評価方法が不明、事前データが無い等）試料作製から、評価・解析まで御支援します。
【試料作製】
●ウェハ工程
■汎用TEGの手配
■ダイシング
■チップソート
■外観検査
■梱包（チップトレイ・エンボステーピング）
●パッケージング工程
■ダイボンディング
■ワイヤボンディング
■フリップチップ実装
■バンプ接合
■パッケージ組立
トータルソリューションとは、半導体製品に関わる部品・装置・材料の開発評価の困難（評価試料が準備できない／評価方法が不明、事前データが無い等）試料作製から、評価・解析まで御支援します。
【試料作製】
●ウェハ工程
■汎用TEGの手配
■ダイシング
■チップソート
■外観検査
■梱包（チップトレイ・エンボステーピング）
●パッケージング工程
■ダイボンディング
■ワイヤボンディング
■フリップチップ実装
■バンプ接合
■パッケージ組立
電子部品の企画・設計・開発段階から、量産、出荷後に至るまで、あらゆるフェーズで発生する品質問題に、長く培われた技術と経験をもとにスピーディーで的確なソリューションを提供します。
■パワーデバイスの信頼性試験
・パワーサイクル試験
定電流600A max.(Vce=10V)
同時に熱抵抗測定も可能
・180℃対応 液槽熱衝撃試験
温度範囲 -65℃～150℃、-40℃～180℃
液媒体 Galden D02TS/D03
試料かご（最大） W320ｘH240ｘD320(mm）
・パワーデバイスアナライザによる特性評価
最大電圧 3000V、最大電流 20A
小型の部品からパワーデバイスまで幅広く対応
・絶縁性評価イオンマイグレーション試験
高温高湿環境下で、実使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施
パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験
・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験
高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター
チャネル数 120チャネル
■パワーデバイスの分析・解析
・パワーチップの故障解析
・はんだ接合部の解析
・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察
・半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察
・パワーサイクル試験
定電流600A max.(Vce=10V)
同時に熱抵抗測定も可能
・180℃対応 液槽熱衝撃試験
温度範囲 -65℃～150℃、-40℃～180℃
液媒体 Galden D02TS/D03
試料かご（最大） W320ｘH240ｘD320(mm）
・パワーデバイスアナライザによる特性評価
最大電圧 3000V、最大電流 20A
小型の部品からパワーデバイスまで幅広く対応
・絶縁性評価イオンマイグレーション試験
高温高湿環境下で、実使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施
パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験
・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験
高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター
チャネル数 120チャネル
■パワーデバイスの分析・解析
・パワーチップの故障解析
・はんだ接合部の解析
・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察
・半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察
■形態観察
・レーザー顕微鏡
・SAM/SAT
・X線透視装置
・SEM/FE-SEM
■電気特性測定
・カーブトレーサ
・パワーデバイスアナライザ
■不良解析・故障解析
・EMS/IR-OBIRCH
・EBIC
■試料加工
・FIB
・回転式研磨台
・イオンポリッシャー
・斜め切削装置
■信頼性評価試験
・液槽式/気槽式 冷熱衝撃試験装置
・恒温恒湿器/バイアス試験
・恒温槽
・HAST/PCT/PCBT
・In-Situ常時測定装置
■ESD/ラッチアップ試験
・ESDテスタ（HBM/MM/CDM/ラッチアップ）
■光学特性
・全光束・光強度測定システム
■物理解析
・SEM+EDX/EPMA
・FE-TEM+EDS/EELS
・STEM+EDS
■表面分析
・AES
・XPS
・μFT-IR
・AFM
■化学分析
・GC-MS（HS/熱分解）
・LC-MS
・顕微ラマン分光装置
・レーザー顕微鏡
・SAM/SAT
・X線透視装置
・SEM/FE-SEM
■電気特性測定
・カーブトレーサ
・パワーデバイスアナライザ
■不良解析・故障解析
・EMS/IR-OBIRCH
・EBIC
■試料加工
・FIB
・回転式研磨台
・イオンポリッシャー
・斜め切削装置
■信頼性評価試験
・液槽式/気槽式 冷熱衝撃試験装置
・恒温恒湿器/バイアス試験
・恒温槽
・HAST/PCT/PCBT
・In-Situ常時測定装置
■ESD/ラッチアップ試験
・ESDテスタ（HBM/MM/CDM/ラッチアップ）
■光学特性
・全光束・光強度測定システム
■物理解析
・SEM+EDX/EPMA
・FE-TEM+EDS/EELS
・STEM+EDS
■表面分析
・AES
・XPS
・μFT-IR
・AFM
■化学分析
・GC-MS（HS/熱分解）
・LC-MS
・顕微ラマン分光装置
・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨
Siチップサイズ：200um～15mm
・IR-OBIRCH解析： ～100mA/10V ～100uA/25V まで対応
感度：数十pA
低倍最大視野：6.5mm角
・エミッション解析： ～2kV まで対応
感度：数nA
低倍最大視野：6.5mm角
・特定位置精度： ±0.3um、試料厚1.5um～0.1um
・機械研磨SEM観察： 大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察
・拡散層観察： TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能
構造により前処理が必要な場合あり
・FIB-SEM観察： クラック・形状異常・拡散層観察（～×50k）
・断面TEM観察： ゲート酸化膜の破壊・転位（～400k）
Siチップサイズ：200um～15mm
・IR-OBIRCH解析： ～100mA/10V ～100uA/25V まで対応
感度：数十pA
低倍最大視野：6.5mm角
・エミッション解析： ～2kV まで対応
感度：数nA
低倍最大視野：6.5mm角
・特定位置精度： ±0.3um、試料厚1.5um～0.1um
・機械研磨SEM観察： 大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察
・拡散層観察： TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能
構造により前処理が必要な場合あり
・FIB-SEM観察： クラック・形状異常・拡散層観察（～×50k）
・断面TEM観察： ゲート酸化膜の破壊・転位（～400k）
■高度加速寿命試験
内寸（最大） Φ545×L550mm
温湿度範囲 +105～162.2℃/75～100%RH
■冷熱衝撃試験
内寸（最大） W970×H460×D670mm
温度範囲 -65℃～0℃/+60℃～200℃
■恒温恒湿試験
内寸（最大） W1000×H1000×D720mm
温湿度範囲 -70℃～+150℃/20～98%RH
■液槽冷熱衝撃試験
試料カゴ（最大） W320×H240×D320mm
耐荷重（最大） 10kg
温度範囲 -65℃～0℃/+60℃～150℃
内寸（最大） Φ545×L550mm
温湿度範囲 +105～162.2℃/75～100%RH
■冷熱衝撃試験
内寸（最大） W970×H460×D670mm
温度範囲 -65℃～0℃/+60℃～200℃
■恒温恒湿試験
内寸（最大） W1000×H1000×D720mm
温湿度範囲 -70℃～+150℃/20～98%RH
■液槽冷熱衝撃試験
試料カゴ（最大） W320×H240×D320mm
耐荷重（最大） 10kg
温度範囲 -65℃～0℃/+60℃～150℃
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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【装置概要】
＜シーメンス（メンター）「PWT2400A」＞
■加熱用電源600A×4台を装備
■ゲート用電源-10V～20V×16台を装備
■最大16chのデバイスを同時に試験
■JESD51-14に準拠した測定法によるTj測定
■試験中に自動で過渡熱抵抗測定の実施
■最高200℃まで対応した冷却プレートを装備
■TOパッケージ用の治具も標準で装備
■水冷式のモジュールにも対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
＜シーメンス（メンター）「PWT2400A」＞
■加熱用電源600A×4台を装備
■ゲート用電源-10V～20V×16台を装備
■最大16chのデバイスを同時に試験
■JESD51-14に準拠した測定法によるTj測定
■試験中に自動で過渡熱抵抗測定の実施
■最高200℃まで対応した冷却プレートを装備
■TOパッケージ用の治具も標準で装備
■水冷式のモジュールにも対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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お問い合わせ
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株式会社アイテス
