※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
関連情報
半導体製品の一連の工程のサンプル作製から信頼性評価試験、分析故障解析までトータルのソリューションを提供します。必要なサービスを必要なだけ、ご利用いただけます。
トータルソリューションとは、半導体製品に関わる部品・装置・材料の開発評価の困難（評価試料が準備できない／評価方法が不明、事前データが無い等）試料作製から、評価・解析まで御支援します。
【試料作製】
●ウェハ工程
■汎用TEGの手配
■ダイシング
■チップソート
■外観検査
■梱包（チップトレイ・エンボステーピング）
●パッケージング工程
■ダイボンディング
■ワイヤボンディング
■フリップチップ実装
■バンプ接合
■パッケージ組立
トータルソリューションとは、半導体製品に関わる部品・装置・材料の開発評価の困難（評価試料が準備できない／評価方法が不明、事前データが無い等）試料作製から、評価・解析まで御支援します。
【試料作製】
●ウェハ工程
■汎用TEGの手配
■ダイシング
■チップソート
■外観検査
■梱包（チップトレイ・エンボステーピング）
●パッケージング工程
■ダイボンディング
■ワイヤボンディング
■フリップチップ実装
■バンプ接合
■パッケージ組立
In-Situ常時測定 信頼性評価試験では、特性を測定しながら、ストレスを印加し信頼性評価試験を行います。
●正確な故障時間の把握が可能
決まった時間にストレス環境より取り出して測定するリードアウト方式では、リードアウトのタイミングでしか故障の把握ができず、正確な故障発生時間を知ることはできません。
In-Situ測定では、正確な故障時間の把握ができます。
●回復性故障の検出が可能
回復性故障は市場において重大な問題を引き起こすことがあります。
リードアウト方式ではこれら回復性故障の検出がほとんどの場合不可能ですが、In-Situ測定では回復性故障の検出が可能であり、正確な判断/判定ができます。
●試料へのストレス印加状態の監視が可能
ストレス印加状況および測定データをリアルタイムで確認できます。
●正確な故障時間の把握が可能
決まった時間にストレス環境より取り出して測定するリードアウト方式では、リードアウトのタイミングでしか故障の把握ができず、正確な故障発生時間を知ることはできません。
In-Situ測定では、正確な故障時間の把握ができます。
●回復性故障の検出が可能
回復性故障は市場において重大な問題を引き起こすことがあります。
リードアウト方式ではこれら回復性故障の検出がほとんどの場合不可能ですが、In-Situ測定では回復性故障の検出が可能であり、正確な判断/判定ができます。
●試料へのストレス印加状態の監視が可能
ストレス印加状況および測定データをリアルタイムで確認できます。
■パワーデバイスの信頼性試験
・パワーサイクル試験
定電流600A max.(Vce=10V)
同時に熱抵抗測定も可能
・180℃対応 液槽熱衝撃試験
温度範囲 -65℃～150℃、-40℃～180℃
液媒体 Galden D02TS/D03
試料かご（最大） W320ｘH240ｘD320(mm）
・パワーデバイスアナライザによる特性評価
最大電圧 3000V、最大電流 20A
小型の部品からパワーデバイスまで幅広く対応
・絶縁性評価イオンマイグレーション試験
高温高湿環境下で、実使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施
パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験
・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験
高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター
チャネル数 120チャネル
■パワーデバイスの分析・解析
・パワーチップの故障解析
・はんだ接合部の解析
・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察
・半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察
・パワーサイクル試験
定電流600A max.(Vce=10V)
同時に熱抵抗測定も可能
・180℃対応 液槽熱衝撃試験
温度範囲 -65℃～150℃、-40℃～180℃
液媒体 Galden D02TS/D03
試料かご（最大） W320ｘH240ｘD320(mm）
・パワーデバイスアナライザによる特性評価
最大電圧 3000V、最大電流 20A
小型の部品からパワーデバイスまで幅広く対応
・絶縁性評価イオンマイグレーション試験
高温高湿環境下で、実使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施
パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験
・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験
高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター
チャネル数 120チャネル
■パワーデバイスの分析・解析
・パワーチップの故障解析
・はんだ接合部の解析
・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察
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【装置概要】
＜シーメンス（メンター）「PWT2400A」＞
■加熱用電源600A×4台を装備
■ゲート用電源-10V～20V×16台を装備
■最大16chのデバイスを同時に試験
■JESD51-14に準拠した測定法によるTj測定
■試験中に自動で過渡熱抵抗測定の実施
■最高200℃まで対応した冷却プレートを装備
■TOパッケージ用の治具も標準で装備
■水冷式のモジュールにも対応
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＜シーメンス（メンター）「PWT2400A」＞
■加熱用電源600A×4台を装備
■ゲート用電源-10V～20V×16台を装備
■最大16chのデバイスを同時に試験
■JESD51-14に準拠した測定法によるTj測定
■試験中に自動で過渡熱抵抗測定の実施
■最高200℃まで対応した冷却プレートを装備
■TOパッケージ用の治具も標準で装備
■水冷式のモジュールにも対応
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【故障箇所特定から拡散層評価や結晶構造などの物理解析まで対応】
■裏面発光/ OBIRCH解析による故障箇所特定
■故障箇所への高精度位置特定、FIB加工
■不良箇所のFIB/LV-SEM観察、EBIC解析による拡散層形状評価
■TEM観察による結晶構造観察、元素分析
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■裏面発光/ OBIRCH解析による故障箇所特定
■故障箇所への高精度位置特定、FIB加工
■不良箇所のFIB/LV-SEM観察、EBIC解析による拡散層形状評価
■TEM観察による結晶構造観察、元素分析
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