最終更新日:
2019-11-07 13:58:33.0
パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します
■解決する力
知識と技術でかいけつに導くコンサルティング
スピード対応でお客様スケジュールを支援
■つきとめる力
故障個所をピンポイントし可視化する技能
深い洞察力と高度かつ繊細な試料加工技術
■特化した設備
最高180℃での液槽熱衝撃試験
パワー半導体に必須のパワーサイクル試験
基本情報
■パワーデバイスの信頼性試験
・パワーサイクル試験
定電流600A max.(Vce=10V)
同時に熱抵抗測定も可能
・180℃対応 液槽熱衝撃試験
温度範囲 -65℃～150℃、-40℃～180℃
液媒体 Galden D02TS/D03
試料かご（最大） W320ｘH240ｘD320(mm）
・パワーデバイスアナライザによる特性評価
最大電圧 3000V、最大電流 20A
小型の部品からパワーデバイスまで幅広く対応
・絶縁性評価イオンマイグレーション試験
高温高湿環境下で、実使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施
パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験
・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験
高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター
チャネル数 120チャネル
■パワーデバイスの分析・解析
・パワーチップの故障解析
・はんだ接合部の解析
・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察
・半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ■SiC MOSFET裏面発光解析 |
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