最終更新日:
2016-02-18 09:19:29.0
ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します
・IR-OBIRCH機能も合わせ持ち、発熱箇所特定後、IR-OBIRCH測定により、故障箇所をさらに絞り込むことができます。
・赤外線を検出するため、エッチングによる開封作業や電極の除去を行うことなく、パッケージのまま電極除去なしに非破壊での故障箇所特定が可能です。
・ロックイン信号を用いることにより高いS/Nで発熱箇所を特定でき、Slice & Viewなど断面解析を行うことができます。
基本情報
デバイスの内部で発生する熱を検出し、故障箇所を特定する半導体故障解析装置となります。高感度赤外検出器にて検出した発熱画像と、IRコンフォーカルレーザ顕微鏡で取得した高解像度なパターン画像を重ね合わせて表示することにより、高感度かつ高い位置精度で故障箇所を迅速に特定します。
価格情報 | - |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | ■症状 ・配線間リークやショート不良 ・静電破壊箇所の特定 ・発光素子の発熱面内分布測定 ・酸化膜のマイクロプラズマリーク・絶縁不良 ・発光素子の発熱面内分布測定 ■デバイス ・Siデバイス(トランジスタ・MOSFET・IGBT・CMOSセンサ) ・SiCパワーデバイス(ショットキーバリアダイオード・MOSFETなど) ・GaN発光素子・GaNデバイス(LD・LED・HEMTなど) ・MEMS(圧力センサ・加速度センサ) ・IC、基板などの絶縁劣化部位の特定 |
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