一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

ロックイン発熱解析法

最終更新日: 2016-02-18 09:19:29.0
ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します

・IR-OBIRCH機能も合わせ持ち、発熱箇所特定後、IR-OBIRCH測定により、故障箇所をさらに絞り込むことができます。
・赤外線を検出するため、エッチングによる開封作業や電極の除去を行うことなく、パッケージのまま電極除去なしに非破壊での故障箇所特定が可能です。
・ロックイン信号を用いることにより高いS/Nで発熱箇所を特定でき、Slice & Viewなど断面解析を行うことができます。

基本情報

デバイスの内部で発生する熱を検出し、故障箇所を特定する半導体故障解析装置となります。高感度赤外検出器にて検出した発熱画像と、IRコンフォーカルレーザ顕微鏡で取得した高解像度なパターン画像を重ね合わせて表示することにより、高感度かつ高い位置精度で故障箇所を迅速に特定します。

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用途/実績例 ■症状
・配線間リークやショート不良
・静電破壊箇所の特定
・発光素子の発熱面内分布測定
・酸化膜のマイクロプラズマリーク・絶縁不良
・発光素子の発熱面内分布測定

■デバイス
・Siデバイス(トランジスタ・MOSFET・IGBT・CMOSセンサ)
・SiCパワーデバイス(ショットキーバリアダイオード・MOSFETなど)
・GaN発光素子・GaNデバイス(LD・LED・HEMTなど)
・MEMS(圧力センサ・加速度センサ)
・IC、基板などの絶縁劣化部位の特定

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