一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価

最終更新日: 2017-08-11 15:23:39.0
断面マッピングにより、GaNの結晶成長の様子を評価可能

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。それら製品の製造工程では、デバイス特性に影響を与える結晶欠陥の無い、高品質なGaN結晶の作製が求められます。
本資料では、c面上に形成したGaN基板(c-GaN基板)上に、c-GaN結晶を高速気相成長させたサンプルの結晶状態を評価した事例をご紹介します。

基本情報

詳しいデータはカタログをご覧ください

価格情報 -
納期 お問い合わせください
用途/実績例 パワーデバイスの分析です

お問い合わせ

下記のフォームにお問い合わせ内容をご記入ください。
※お問い合わせには会員登録が必要です。

至急度  必須
ご要望  必須
目的  必須
添付資料
お問い合わせ内容 
【ご利用上の注意】
お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。
はじめてイプロスをご利用の方 はじめてイプロスをご利用の方 すでに会員の方はこちら
イプロス会員(無料)になると、情報掲載の企業に直接お問い合わせすることができます。
メールアドレス

※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。

一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】パワーデバイスの製品・サービス一覧(660件)を見る