【分析事例】パワーデバイス 一覧

【分析事例】Siウエハベベル部の汚染評価

金属成分と有機成分を同時に評価可能です

最終更新日： 2024-05-28 13:47:29.0

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【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価

ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります

最終更新日： 2024-05-28 13:47:29.0

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【分析事例】バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査

高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

最終更新日： 2024-05-28 13:47:29.0

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【分析事例】XPSによるSiC表面の状態・膜厚評価

詳細な状態評価と併せ、膜厚計算が可能

最終更新日： 2016-03-16 14:14:12.0

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【分析事例】水素注入サンプルのSRA/SIMS評価事例

ライフタイム制御サンプルのキャリア濃度分析事例紹介

最終更新日： 2023-04-19 17:57:55.0

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【分析事例】パッケージ品のロックイン発熱解析

Si系パワーダイオードのリーク箇所非破壊分析

最終更新日： 2016-08-25 10:37:32.0

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【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

最終更新日： 2016-10-31 13:17:22.0

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【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

活性層の形状とドーパントを評価

最終更新日： 2023-04-04 10:12:02.0

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【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2

目的に応じた分析条件で測定します

最終更新日： 2016-03-10 11:47:10.0

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【分析事例】SiC基板におけるSSDP-SIMS分析

SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能

最終更新日： 2016-03-10 10:16:55.0

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【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価

膜厚・密度・結合状態を評価

最終更新日： 2016-03-10 10:05:02.0

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【分析事例】NPT-IGBT中ドーパント調査

イメージングSIMSによって局在する元素の評価が可能

最終更新日： 2016-03-10 09:08:55.0

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【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定

SiC中積層欠陥の検出事例

最終更新日： 2016-03-09 14:42:15.0

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【分析事例】SiCSchottkydiode中Alの深さ方向分析

イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能です

最終更新日： 2016-03-01 14:59:34.0

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【分析事例】SiCパワーMOS FET中ドーパント評価

イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能

最終更新日： 2016-03-01 14:52:15.0

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【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1

SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可能

最終更新日： 2016-03-01 14:44:58.0

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【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析

SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます

最終更新日： 2016-03-01 14:12:53.0

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【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察

前処理から発光箇所特定まで一貫解析

最終更新日： 2024-05-28 13:47:29.0

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【分析事例】Si中不純物の超高感度測定

感度を高めてpptレベルの濃度分布を評価します

最終更新日： 2016-03-15 13:01:11.0

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【分析事例】ウェハ・チップの特定箇所の前処理技術

目的箇所のみサンプリングし、ウェハを割らずにサンプル作製します

最終更新日： 2024-06-06 09:29:11.0

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【分析事例】SIMSによるGaN系LED構造の組成分析

GaN系LEDの主成分元素の組成を深さ方向に評価可能

最終更新日： 2016-08-25 13:21:45.0

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【分析事例】化合物積層構造試料のSIMS分析

前処理により化合物層を選択的に除去してから分析が可能

最終更新日： 2023-04-19 17:47:47.0

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【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

最終更新日： 2024-05-28 13:47:29.0

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【分析事例】極浅注入プロファイルの評価

極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能

最終更新日： 2016-08-25 14:25:09.0

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【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価

シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価

最終更新日： 2016-10-21 13:38:59.0

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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価

極浅い領域でも高感度に分析

最終更新日： 2016-09-30 09:18:01.0

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【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温PL

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

最終更新日： 2016-07-29 14:39:30.0

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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価

不純物元素の定量評価が可能です

最終更新日： 2016-04-19 10:31:02.0

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【分析事例】SiC中不純物の超高感度測定

ppb～pptレベルのバルク濃度を評価します

最終更新日： 2016-04-19 10:25:52.0

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【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価

Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能

最終更新日： 2023-04-10 16:06:47.0

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