最終更新日:
2024-03-27 14:25:01.0
指向性成膜を実現し、リアクティブスパッタリングも可能な高イオン電流ヘリコンプラズマイオンソースPVDモジュール
AVP Technology社製 HR-PVDスパッタリングモジュール
・ヘリコンプラズマイオンソースを用いたリモートプラズマソースによりICPソースと比べ高いイオン化効率を実現しています。
・傾斜角方向からの優れた直進性により、膜厚均一性およびステップカバレッジにおいても優れた結果を得ています。
・リモートプラズマにより、基盤を低温に保っての成膜を実現します。
・ターゲット利用効率においても優れた結果が得られています。
*詳細はお問い合わせください。
基本情報
・200mmウェハまで対応可能
・AVP Technology社独自の制御システムへの変更で中古クラスター装置への搭載も可能です。また、他のPVDやエッチングモジュールとの併用も可能です。
*詳細はお問い合わせください。
価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
型番・ブランド名 | HR-PVD リモートプラズマ スパッタリングモジュール |
用途/実績例 | ・磁気ヘッド ・薄膜ヘッド ・サーマルヘッド ・MEMS ・スピントロニクス素材 など、高磁性体、高誘電体の成膜用途に最適 |
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